Есть один прикол с КБ емкостями транзисторов, раз уж про них упоминалось (и в теме про ооочччень быстрый УН

).
Ну вот, в NXP емкость нагрузки УН около 600пФ. При полном размахе напряжения емкость КБ транзисторов УН и первой пары тройки меняется где-то 1,5...2 раза. Возьмем 1,5. 60/1,5=40. 60-40=20пФ параметрической девиации.
А теперь следим за руками: нелинейность нагрузки УН в области, где преобладает емкостный импеданс нагрузки 20/600=0,033, или 3.3% до охвата ООС. Без учета всех остальных нелинейностей.
Несколько простых советов по NXP.
-Поднять ток УН до 30..40мА, можно до 50, но это будет впритык к ОБР, если страшно, то не надо. Оно всё равно на радиаторе, так что ничего не изменится. Мелкие транзисторы придется заменить, видимо, зетексы в помощь.
-Увеличить резисторы в базах первой ступени тройки до 100Ом, уменьшить емкости на землю втрое. Можно разбить эти емкости на две последовательных и среднюю точку на выход ВК (через резистор 500...5к), это классическое решение, следящая ОС в рабочей полосе, тогда они почти "исчезнут" для сигнала ЗЧ. То же самое можно сделать и с емкостями ОС УН (100пф по схеме), будет так называемая "инклюзивная" коррекция.
-Увеличить резисторы в базах второй ступени тройки до 20..50Ом, включить с баз дополнительные емкости на землю 33..47пФ.
-Поставить в базы (на общую точку соединения всех баз) третьей ступени резисторы по 1..2 Ом.
-Хауксворда в УН (тут уже не так просто, но вполне возможно).
Вышеназванные изменения в ВК приведут к увеличению фазового сдвига на ВЧ, поэтому в петлю нужно будет добавить дополнительный ноль. Это удобно сделать в коррекции ОУ, поставить резистор последовательно с конденсатором местной ООС.
Эти мелкие изменения улучшат линейность и стабильность конструкции,
рассчитаны на подготовленных радиолюбителей.
Да... нужно будет посмотреть клип, тут могут быть сюрпризы, и это минус такого допиливания.