ВВЛП-2018, или самый простой сверхлинейный усилитель.

Rus2000

Rus2000

I=U/R
ВВЛП = Высокой Верности Ломакина-Паршина.

Как говорят классики, схемотехника Видерхольда-Сухова (и продолжателей их дела) - самый легкий путь к сверхлинейности.
Давайте рассмотрим существующие варианты этой схемотехники:
"Классическая" схема УН ВВ:
08:32:43-УН-01.GIF


Развитие классической схемы - добавлено токовое зеркало в коллектор преобразователя "напряжение-ток":
08:33:03-УН-02.GIF


У классической и зеркальной версий есть симметричные варианты. Не привожу их ввиду очевидности.
Симметричные версии по-определению вдвое сложнее своих асимметричных вариантов.

Интереснее рассмотреть способы упрощения конструкции.
Берем зеркальную версию, отрезаем от нее транзистор сдвига уровня.
Остается только преобразователь "напряжение-ток" и токовое зеркало. Теряется 6дБ усиления от зеркальной версии. Конструкция работоспособна, есть интересная возможность поэкспериментировать с коэффициентом отражения зеркала:
08:33:26-УН-03.GIF


А если отрезать еще и токовое зеркало, то останется только преобразователь "напряжение-ток".
08:33:51-УН-04.GIF


Схема станет инвертирующей, но не менее работоспособной. В Радио №9 за 1987 год был опубликована статья об усилителе, собранном по данной топологии:
08:34:36-ВВ-87-9.gif

Особенности правил и принципов усилителестроения, существовавшие 30 с лишним лет назад, не позволили тогда получить от этого усилителя максимум, на который он был способен.

Однако сегодня, "стоя на плечах титанов", можно попытаться допилить эту конструкцию и сделать по-настоящему народный ВВ.

Пилотная версия ВВЛП-2018 на LM318 (Кг = 70u%):
Только эмиттерный переход Т1 надо зашунтировать диодом, для защиты от обратного напряжения при перегрузке.
05:04:32-%D0%92%D0%92%D0%A1%D0%9B%D0%9F.gif


Применение современных ОУ позволит заметно улучшить параметры.

Композитный вариант снижает гармоники на порядок, но пока что слишком сырой..

С "народным" одноуровневым питанием +-30 вольт и "антинародными" составными дарлингтонами (2SD2390, 2SB1560) искажения на 100Вт/4Ом заметно растут, но все-равно остаются ниже 1000u% (порядка 700-300u%, но там есть еще что допиливать).

Продолжение следует...
 
Последнее редактирование:
Очень заманчиво выглядит перспектива управления коэффициентом отражения зеркала в этой версии ВВ:
08:33:26-%D0%A3%D0%9D-03.GIF


По кол-ву элементов и занимаемой площади платы она даже меньше, чем сабжевый УН ВВЛП.

Добавлено:
Архиполезная вещь - коэффициент отражения зеркала. На ровном месте удалось добавить более 10дБ, даже не меняя коррекции!
Косвенно это указывает на то, что коррекция вполне корректная, а явно - что есть потенциал роста.
Сходу получен результат THD = 23u%.
 
- на авторской схеме - 1-й каскад стоят ММ транзисторы, 2-й вых. УН - СрМ, последующие ВК - БМ.
- риторический вопрос - а почему в апгрейде ставится сразу СрМ в первом каскаде после ОУ ?
- предполагаю что искажения могут расти в таком случаи.
 
Lazertok написал(а):
1. на авторской схеме - 1-й каскад стоят ММ транзисторы, 2-й уже СрМ, последующие после УН БМ.
2. риторический вопрос - а почему в апгрейде ставится сразу СрМ в первом каскаде после ОУ ?
3. предполагаю что искажения могут расти в таком случаи.
Нажмите для раскрытия...

1. Что не так? В ВВ-89 стоит КТ502, а в ВВС-2011 - 1380.
2. Это макет. Универсальный. Проверялись Разные варианты питания. А мощность = U*I. Т.е. при 70В 15мА получается 1 Вт СРЕДНЕЙ мощности. И ватта под три в импульсе. Надо было туда кт315 поставить?
3. Зависит от режима. В народной версии можно туда поставить что-то типа 3904-3906, или 5401-5551, или вообще 547-557. В любом случае - версия пилотная.
 
Пока что THD(20kHz, 40v) = 70u%.

Если есть спецы по композитам - прошу помочь.

Еще одиночный AD8085 интересно поставить и скорректировать под него.

Можно еще попробовать одиночный AD829. Как он в качестве входного ОУ? В его упрощенной схеме нет эмиттерных резисторов, вроде как это плохо для звука (перегрузочной способности).

P.S.
Откатаю народную версию с одноуровневым питанием 30-36В - выложу.
 
Мой вариант усилителя, конечно в С-плане :D Ток коллектора Т1 равен 1 мА, для выбранного транзистора оптимальные параметры.
 

Вложения

  • LP.GIF
    LP.GIF
    40 KB · Просмотры: 789
MakarOFF написал(а):
конечно в С-плане ... Ток коллектора Т1 равен 1 мА,
Нажмите для раскрытия...
- тоже там-же измерил, в Sплане ?
п.с. для одной пары ВК питание большое - 35В максимум... = 4 Ом/ 80-100Вт/ 6.5 А на транзюк в клипе
 
Потенциал есть. Эмиттерный переход первого транзистора защити от обратного напряжения в клипе. Вариант: диодом-двумя, катодами к выходу ОУ и на и-вход.
 
Lazertok написал(а):
MakarOFF написал(а):
конечно в С-плане ... Ток коллектора Т1 равен 1 мА,
Нажмите для раскрытия...
- тоже там-же измерил, в Sплане ?
п.с. для одной пары ВК питание большое - 35В максимум... = 4 Ом/ 80-100Вт/ 6.5 А на транзюк в клипе
Нажмите для раскрытия...
Зачем его мерить, всё прекрасно калькулятором рассчитывается. Про выход тоже понятно, схема скелет, разве не видно что половина номиналов отсутствуют?
 
Р7, Р11 удалить, включить n-p-n транзистор на место Т2 как в СЛ Агеева, т.е. базу на шину +15 Вольт, между коллектором Т1 и эмиттером Т2 резистор сопротивлением около 2 кОм. Р8 уменьшить надо до Ом 150-и, как-то так.
 
MakarOFF написал(а):
Мой вариант усилителя, конечно в С-плане :D Ток коллектора Т1 равен 1 мА, для выбранного транзистора оптимальные параметры.
Нажмите для раскрытия...
Между эммитерами VT2, VT3 резистор нужен.
Вечером погляжу его в симуляторе.
 
Я вроде давно показал симметричный вариант с приличными параметрами .
 
MakarOFF написал(а):
Мой вариант усилителя, конечно в С-плане :D Ток коллектора Т1 равен 1 мА, для выбранного транзистора оптимальные параметры.
Нажмите для раскрытия...
Это НЕ УМВВ, и не УМ Ломакина-Паршина. Тут принцип другой.
Или вы самостоятельно перенесете это в другую/новую тему, или я вынужден буду снести весь офтоп.
Объяснить почему?
 
Rus2000 написал(а):
Тут принцип другой.
Нажмите для раскрытия...
- в параллельной ветке уже запустили в макете - принцип тот же, +/- управления поменяли и всё!!!
- почистить можно - сносить тему не надо ... плиз
- будет с чем сравнивать.
 
S-word написал(а):
Потенциал есть. Эмиттерный переход первого транзистора защити от обратного напряжения в клипе. Вариант: диодом-двумя, катодами к выходу ОУ и на и-вход.
Нажмите для раскрытия...
1. Щас в командировке. Не до симуляторов-моделей. Тырнет случайно случился.
2. В первом посте писал о защите ("эмиттерный переход Т1 надо зашунтировать диодом, для защиты от обратного напряжения при перегрузке."). В модели из второго поста диод на эмиттерном переходе есть.
3. Диод на И-вход не будет избыточной сущностью? Не думал над этим вариантом пока.
 
Войдите или зарегистрируйтесь для ответа.
Назад
Сверху Снизу