Если оборват базу, кто будет тянуть электроны с эмиттера? Никто. А значит не будет и коллекторного тока, а значит не будет ничего.И оттуда уйдёт на общий, ибо так должно быть.
Если оборвать базу транзистора или врезать в неё R6 ну ооочень большого сопротивления, ООС работать будет, как мыслишь?
Подожди подожди, я не понял где ОС то тут выделяется в этой схеме я вообще не поня ничего? Тут жопой на изнанку асё вывернуто???Вот! За счёт включения подООСного входного транзистора по схеме с общей базой в режиме с высоким сопротивлением источника сигнала обычная последовательная ООС снижает свою эффективность. А при высоких требованиях к линейности (или нафиг мы применяем глубокую ООС?) высоким сопротивлением источника вполне может оказаться даже 5 кОм от РГ Никитина-антекома.
Но главное ты понял
Вобщем пока не понял, по пунктам буду разбирать раз сто прочитаю.Меж всеми электродами транзистора есть ёмкость. Скб - меж коллектором и базой.
Не, ну я про эту ёмкость читал, про то что это ёмкость медленно перезаряжается диод там подключают для ускарения, но так глубоко я не знаюМеж всеми электродами транзистора есть ёмкость. Скб - меж коллектором и базой. Насколько эффективна ООС через Скб? Очень.
1 кОм в базе и 10 пФ Скб дают завал усиления уже с 16 МГц, а 10 кОм - уже с 1,6 МГц для транзистора с фт=300 мГц.
Зло злейшее.
Она приложена от Rэ//сопротивления источника к эмиттерному переходу, далее - к базе и базовому делителю. Вон там конденсатор Сб не зря поставлен. Он уменьшает импеданс базовых цепей: блокирует токи ООС через Скб транзистора и замыкает цепь для ООС с эмиттера.
Секундочку, сначала главный вопрос, как же тогда проходит сигнал с источника а ОС не проходит??? Частота одинаковая же!!! Для сигнала Скб не срабатывает а для ОС сраьатывает??? Это как???Хорошо. Там так и написано.
Точнее, так:
Конденсатор с базы на общий уменьшает импеданс базовых цепей: заземляет токи ООС через Скб транзистора (на землю, лишь бы не в базу) и замыкает на общий цепь для ООС с эмиттера.
Т.е. ОС идёт путём эмиттр, доходит до базы там через конденсатор Скб потомучто сопротивление меньше чем базового конденсатора, коллектор, Rк, источник питания?Конденсатор с базы на общий уменьшает импеданс базовых цепей: заземляет токи ООС через Скб транзистора (на землю, лишь бы не в базу) и замыкает на общий цепь для ООС с эмиттера.
Вот это я правильно понял, частотат до 1,6мГц идёт в Скб а выше 1,6мГц идёт через базу?ООС через Скб валит АЧХ, а, значит, работает, с 1,6 МГц (в примере). Там никакого звукового сигнала нет, а если
Нет.
ООС приложена к эмиттерному переходу. Значит, "верхним путём" она доходит жо базы и смотрит: вниз, на общий, идёт ёмкий конденсатор, широкий путь. Вверх - всего 10 пФ, для звуковой частоты это - непреодолимая крепостная стена. Тем более, "нижний путь" ООС идёт через Rэ на общий и манит оттуда сигнал на базе: давай, мол, замыкай цепь ООС правильно, а не
Вот это интересно, надо обмозговать.Нет.
ООС приложена к эмиттерному переходу. Значит, "верхним путём" она доходит жо базы и смотрит: вниз, на общий, идёт ёмкий конденсатор, широкий путь. Вверх - всего 10 пФ, для звуковой частоты это - непреодолимая крепостная стена. Тем более, "нижний путь" ООС идёт через Rэ на общий и манит оттуда сигнал на базе: давай, мол, замыкай цепь ООС правильно, а не шаришься через Скб в коллектор, хер тебя там носит.
Всё таки запутолся. Не доконца понял ОК, последователная ОС, с ростом внутреннего сопротивления источника сигнала уменьшается ОС а чем это грозит увеличением входного сигнала и появлением неленейных искажений?Вот! За счёт включения подООСного входного транзистора по схеме с общей базой в режиме с высоким сопротивлением источника сигнала обычная последовательная ООС снижает свою эффективность. А при высоких требованиях к линейности (или нафиг мы применяем глубокую ООС?) высоким сопротивлением источника вполне может оказаться даже 5 кОм от РГ Никитина-антекома.
Но главное ты понял