Просто феерический бред!
Честное слово, до этого я был о тебе лучшего мнения.
Вот схема каскада с ОБ. Входной сигнал для неё - изменение коллекторного напряжения, о хорошем подавлении тока от которого в каскадах с ОБ и ГСТ говорил Емс.
ООСью, конечно.
Я уже и не буду спрашивать о том, как это обратная связь по току может что-то там застабилизировать без усиления тока в петле. Видимо, глубина ОС для тебя совершенно абстрактное и ненужное понятие.
В каскаде ОБ входным сигналом является сигнал, подаваемый в эмиттер. Дальше уже можно не читать, все равно к ОБ эти рассуждения не имеют никакого отношения.
Напряжение с коллектора модулирует ширину базы и меняет ток эмиттера.
В схеме ОБ ток эмиттера определяет ток коллектора. У тебя все через жопу.
Но потенциал базы фиксирован. Поэтому на выв. эмиттера напряжение V1 повторяет по форме коллекторное V2. И приложено это V1 к эмиттеру в такой фазе, что компенсирует увеличение тока эмиттера запиранием транзистора.
Еще раз повторю, раз у тебя входной сигнал - напряжение на коллекторе, к схеме ОБ это не имеет отношения.
То есть, это ни что иное, как ООС по току эмиттера, о которой дубовому по пояс теоретику так долго доказывалось.
Где обратная связь? Где к твоему сигналу на коллекторе прибавляется что-то с эмиттера (который, надо полагать, ты считаешь выходом каскада ОБ? Ну и бред! ).
Нет такой цепи.
Не знаю. Как то это все на уровне Эфиопа, когда просто каждое слово не имеет смысла. На бред трудно возражать.
Там выше Эфиопу учебники советовали. Тебе тоже полезно будет. Почитай на досуге, хоть будешь знать, куда в ОБ сигнал подается и откуда снимается.
Когда будешь читать, обрати внимание на следующее.
Транзистор устроен так, что практически все носители, попавшие из эмиттера в базу, сваливаются в коллектор (там при поданном питании потенциальная яма).
Коэффициент, показывающий сколько тока эмиттера попало в коллектор, принято называть alpha. Он всегда чуть меньше единицы. А коэффициент, показывающий насколько ток базы мал по сравнением с током коллектора, называют beta (alpha и beta связаны простой зависимостью).
Так вот, как только задан ток эмиттера (неважно каким способом), так сразу задан и ток коллектора, он ведь почти такой же. Поэтому при стабильном токе эмиттера коллектор является хорошим источником тока (ведь alpha в основном определяется конструкцией транзистора).
Но при изменении коллекторного напряжения коллекторный ток все-таки немного изменяется. В чем тут дело, ведь носители падают в потенциальную яму? Какая разница, глубокая она или мелкая? Пока не упадешь - не узнаешь. Здесь вступает в игру тонкий эффект: при изменении напряжения на коллекторном переходе изменяется его ширина, а поскольку база зажата между двумя переходами, изменяется толщина базы.
Когда база тоньше, до коллектора добегает больше носителей, чем когда база толще. Вот и меняется ток коллектора, а значит, меняется и alpha. Это называют эффектом Эрли.
Еще один вопрос. Почему в схеме ОЭ выходное сопротивление намного меньше, чем в ОБ? Ведь на выходе все тот же коллекторный переход?
Ответ в самом вопросе. Раз измеряем схему ОБ, значит база заземлена и задаем ток эмиттера. Имеем хороший источник тока, слегка подпорченный эффектом Эрли. Ну изменилась немножко alpha, но она все равно весьма близка к единице.
А в схеме ОЭ заземлен эмиттер, для измерений фиксируется ток базы. И если внимательно посмотреть на зависимость beta от alpha, то можно увидеть, что при маленьких изменениях alpha изменения beta совсем не малы. И ток коллектора из-за эффекта Эрли в схеме ОЭ изменяется гораздо сильнее, выходное сопротивление гораздо меньше, чем в схеме ОБ.[/QUOTE]