В даташите есть график SOA, данный для 25 °С. Глядя туда и зная напряжение к-э транзистора в активном режиме, а также минимальный импеданс нагрузки, можем смоделировать рост рассеиваемой мощности на кристалле при работе и идеальном охлаждении. Далее вводим поправку на допустимое значение рассеиваемой мощностии от температуры и видим, при каких предельных условиях мы можем эксплуатировать прибор, не боясь его выхода из строя. К тому же импеданс многозвенных АС имеет реактивности, которые могут импульсно вызывать резкий рост тока, потребляемого от усилителя.
Т.е., по итогу, все довольно непросто и неоднозначно в вопросе выбора выходных транзисторов.
Т.е., по итогу, все довольно непросто и неоднозначно в вопросе выбора выходных транзисторов.