Можно уменьшить номиналы ООС и до 2/8,2 или 3/12 кОм-но тогда надо буфер способный хорошо работать на эту
нагрузку.
Тут какая интересная херь выходит. Собственно, входной ОУ даёт ток в резистор ООС, и всё. Утрирую на пальцах: резистор местной ООС 3 кОм - на выходе ОУ сигнал 3 В. Ты вдруг уменьшаешь резистор ООС втрое, Ку транзисторной части втрое растёт, и при том же выходном напряжении УМ напряжение сигнала на выходе ОУ ...уменьшается ...втрое!
И выходит: как вталкивал ОУ в резистор 3 В/3 кОма=1 мА, так и вталкивает 1 В/1 кОм=1 мА. То есть, токовая нагрузка ВК не изменилась. А вот УН ОУ стал работать с втрое меньшим размахом выходного напряжения. Поскольку размахи токов и напряжений суть факторы искажений, уменьшение размаха повышает исходную линейность УМ. Это - твой законный выигрыш от знания теории ООС.
Ну, а так-то, любой дурак может 300 дБ в симуляторе накачать, (с) любой дурак.