dbokov
Испытатель
А в ОБ разной проводимости подбирали?
Сверхлинейный УМ Парус (ВВЧ, ПараФинн), или сгибаем обратно разогнутый дифкаскад Видерхольда
Grisha Perelman
Постоялец
Пары
Q1,Q2 ( NPN + NPN, 5%)
Q3, Q4 (PNP + PNP, 5%)
Q5, Q7(NPN + PNP, 5%)
Q9,Q8(NPN + PNP, 5%)
Q10,Q11(NPN + PNP, 20%)
Q12,Q13,Q14,Q15(2 x NPN + 2 x PNP, 20%)
,
Rus2000
I=U/R
Машу каслом не испортишь (с)
Но особого смысла в этом не вижу.
Главное, чтоб транзисторы были исправны, а 100+дБ петлевого выпрямит их неидеальность.
Grisha Perelman
Постоялец
Да, "Парус" хорошо работает и без подбора транзисторов.
Но когда речь идет об получении искажений уровня 40u%, то каждый момент важен.
Подобранные транзисторы уменьшают искажения.
Rus2000
I=U/R
Имеющиеся у нас данные говорят об обратном - даже замена транзисторов на тройки Акопова (считай, практически идеальные транзисторы) не давала особого прироста линейности, в отличие от набора усиления.
dbokov
Испытатель
Сложно с этим спорить, когда это получено в железе.
Grisha Perelman
Постоялец
Разный коэффициент усиления в плечах усиления, например, положительной и
отрицательной полуволны(независимо от идеальности транзистора) - это повышение искажений до охвата ООС.
Глубокая ООС подавляет все искажения на глубину ООС (в первом приближении),
но если исходных искажений было меньше, то и после ООС их будет меньше.
Rus2000
I=U/R
Все верно.
Мы ставили на выход УН тройки Акопова, в разы более линейные, чем простой ОБ.
А линейнее получился усь с ОБ, но с бОльшим петлевым.
Rus2000
I=U/R
Согласен.
Особенно сложно, когда ты этот результат и получил
Мы с Финном линеаризовывали УН, как могли, но простой усь получился линейнее
Alan Bins
Штурман Билли
Товарищ Перельман ,когда продемонстрируете конструктив и измерения народу ?
У меня в ВВС2011все транзисторы подобраны с точностью 5%,резисторы и конденсаторы 1%,резисторы и конденсатор в ООС 0.5%.Считаю,что чем меньше ООС будет напрягаться,тем лучше.Разработчикам однозначно респект и уважение за усилители в которых параметры достигаются без особого подбора компонентов!Но когда делаешь для себя любимого,стараешся сделать всё по максимуму,пусть даже это и излишество.Зато душу греет-у меня всё подобрано,и спится тогда спокойнее.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Всё понятно, есть два вопроса:
1. Что даёт контур L1C3? Точнее, С3?
2. С6 и выше расположенный С8 в сумме дают 150 пФ. Они уменьшают Ку дифа-зеркала-ОБ на ВЧ. Не лучше ли было конвертировать лишнее усиление в линейность увеличением сопротивлений эмиттерных резисторов дифа?
У меня эту схему ЛТС не считает. Часами молотит - и ничего.
Причины - понимаю: Uбэ прп и рпр=транзисторов отличаются на несколько десятков милливольт. А вот следствия интересные.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Тут народу интересна будет конструкция и материал экрана, потому, что мы тоже про такое думали, а также - схема включения кабеля ООС.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Ага. Переусложнение - необходимый этап перед суровой простотой. Тоже лепил всякие сложности, а оказалось, что проще - даже лучше.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Я тоже смотрел на максимальную версию с желанием упростить до 2диф-2ОБ.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
По h21э? На каких ттоках?
По Uбэ - не?
это нужно что бы транзисторы были из одной партии ну и ведра два их нужно если ещё и по Uбэ подбирать.
Последнее редактирование:
Rus2000
I=U/R
А куда деваться.
В симуляторе сложный получается линейнее простого на 10-20u%.
В железе этого уже не видно.
Но сложный греет душу высокой "исходной линейностью". Примерно так же, как подобранные "для себя" пары транзисторов.
Grisha Perelman
Постоялец
LTSpice XVII(x64) from 11 Mar 2020 - - считает очень быстро