С нуля...

Э

Эфиоп

Постоялец
Мультмвмбратор не практично.
А вот если взять например ОЭ можно добавлять до и после каскады, разной функциональности это долгоиграющая цель.
А если так, взять ОЭ и допилить его, сделать "бронированым" ко всяким нелинейностям, искажениям и обвешивать его каскадами.
Темпиратурный
Искажения Б-Э
Эффект Эрли
С чем боротся, какие ещё искажения есть?
 
Разве искажение не цель? Сверхлинейники это слишком.
Надо маленькие цели ставить.
 
8461

Начинать надо будет с самого простого. Транзистор - усилитель тока, работа транзистора в ключевом режиме.
Тут надо замерить Uбэ, ток базы, тока коллектора. Это всё пригодится как минимум для транзисторной автоматики.
 
Ну, прям уж Лина

8464

Транзистор в каскаде аналогового усилителя. Самое простое: мерить Uбэ, подобрать напряжение на коллекторе Uпит/2 и понимать, зачем.
 
Sagittarius написал(а):
Посмотреть вложение 8461

Начинать надо будет с самого простого. Транзистор - усилитель тока, работа транзистора в ключевом режиме.
Тут надо замерить Uбэ, ток базы, тока коллектора. Это всё пригодится как минимум для транзисторной автоматики.
Нажмите для раскрытия...
Теория:
Напряжение Uбэ колеблется в районе 0,6-0,7в так устроен транзистор.
Ток базы.
Iб=Uп/R1+rэ
Неизвестен rэ
Транзистор работает от насыщееия до отсечки, в насышенни он открыт и на нём всё напряжение а значит.
Iк=Uп-Uд/R2, Uд=0.6в
отсюда приближённо считаем ток коллектора равен току эмиттера(хотя в идеале Iк=Iэ+Iб)
rэ=25мВ/Iк
 
Эфиоп написал(а):
Ток базы.
Iб=Uп/R1+rэ
Нажмите для раскрытия...
Нет. Ток базы, точно:
Iб=(Uп - Uбэ) / R1
Эфиоп написал(а):
Транзистор работает от насыщееия до отсечки, в насышенни он открыт и на нём всё напряжение а значит.
Iк=Uп-Uд/R2, Uд=0.6в
Нажмите для раскрытия...
Тут правильно, за исключением: напряжение на светодиоде - минимум 1,6 В, напряжение Uкэ транзистора - порядка 0,05 В или 50 мВ.
 
Sagittarius написал(а):
Ну, прям уж Лина

Посмотреть вложение 8464

Транзистор в каскаде аналогового усилителя. Самое простое: мерить Uбэ, подобрать напряжение на коллекторе Uпит/2 и понимать, зачем.
Нажмите для раскрытия...
Половина питания берётся для полного размаха или усиления по напряжению. Синусойда на входе, положительная полуволна размах от 7,5 до 15, отрицательная от 0 до 7,5. Но между насыщением и рабочей областью, есть область искажения по датошиту находим напряжение перед областью искажения Vce(sat) и находим верхнюю границу Uв=Uп-(Uп-Vce(sat))/1+R2).
Нижнию границу не знаю как находится???
 
Никто не знает. Это зависит от транзистора. Низковольтные импульсные работают в глубоком насыщении (Uкб < 0), высоковольтные вносят искажения при Uкэ < 8 В.
 
Вообще конечно странно перед отсечкой есть область искажения и она не учитывается???
Да и ток делителя берётся в десять раз больше??? Что это за управление током??? Плюс минус киллометр???
 
  1. У транзисторов , усиление по току величина не постоянная. У данной зависимости есть максимум при определенном токе, при малых токах и больших - усиление падает. Также напряжение насыщения транзисторов зависит от тока через транзистор и напряжения КЭ. У мощных транзисторов падает усиление по току при малых значениях КЭ. Для правильного выбора транзистора и режима усиления пользуются выходными характеристиками данного транзистора - они у всех разные. В литературе - выбор рабочей точки и нагрузочной характеристики транзисторного каскада. Даже строятся графики нагрузочной прямой по постоянному и переменному токам.
  2. Ток делителя в цепи базы выбирается в 5-10 раз больше тока базы для того, чтобы с изменением температуры ток базы протекающий через резисторы делителя не значительно менял напряжение смещения на базе.
  3. В схеме усилителя с коллекторной стабилизацией рабочей точки - параллельная по входу ООС через резистор 100к с К на Б, на верхней схеме. Для стабильности рабочей точки ставят, если важна стабильность еще резистор с базы на землю - тоже делитель, но уже с меньшими номиналами резисторов.
  4. Для получения максимума размаха напряжения на выходе каскада ОЭ рабочая точка напряжения на коллекторе должна быть примерно на половине питания, обычно немного меньше - зависит от полного сопротивления нагрузки каскада по переменному току.
 
Последнее редактирование:
Если напряжение на выходе заведомо мало, а нагрузка - резистор, выгоднее выбрать коллекторное напряжение поменьше. Это несколько повысит петлевое усиление каскада: ток эмиттера увеличится, rэ уменьшится, сопротивление нагрузки неизменно.
 
Emc написал(а):
  1. Ток делителя в цепи базы выбирается в 5-10 раз больше тока базы для того, чтобы с изменением температуры ток базы протекающий через резисторы делителя не значительно менял напряжение смещения на базе.
  2. В схеме усилителя с коллекторной стабилизацией рабочей точки - параллельная по входу ООС через резистор 100к с К на Б, на верхней схеме.
Нажмите для раскрытия...
1, Стабилизации тока коллектора не будет, при изменении температуры и неизменном Uбэ будет сильно меняться ток базы, а значит и ток коллектора.
2, Стабилизация плохая, кроме того обычно такого порядка резистор с коллектора на базу не допустим - приводит к потере усиления.
 
Верхнюю границу искажений мы можем контролировать и не допускать что бы сигнал не заходил туда за счёт параметра Vce(sat).
А с нижней границей не понял, сигнал заходит туда но мы надеемся на то что при малых токах он не сильно усилится? Он по дататошиту у данного транзистора коэффициент колеблется от 100 до 300, то есть приближаясь к отсечке сигнал вместе с искажениями усилится в 100раз это разве слабо усилился называется???
 
Отсечка - это запирание. Насыщение - это Uкэ<Uбэ, или Uкэ->0.
Просто надо выбирать питание под нужный выходной сигнал. Речь идёт об одном вольте, не ахти какая сложность его добавить.
 
Войдите или зарегистрируйтесь для ответа.
Назад
Сверху Снизу