77R68
- Автор темы Sagittarius
- Дата начала
Здраствуйте, ну как, можно плату рисовать или есть замечания?Здравствуйте.
С1 надо 3,3 нФ, перенести левее и вставить ещё один резистор 560 Ом перед ним. Иначе корректирующая цепь R9C3 работать не будет.
VD4 на общий надо.
R11=2,2k, чтобы не было подработки Т6 до срабатывания токовой защиты. Токовая защита тут так, как показано, не будет работать по причине остаточного напряжения на эмиттерных переходах Т23, Т24, отпирающего Т25, Т26. Кроме того, потенциал эмиттера Т6 равен -12 В, а выход УМ и эмиттер Т27 может иметь и -45 В, что ставит под вопрос работу Т27: при выходных напряжениях менее -12 В его коллекторный переход сместится в прямом направлении. В самый раз придётся защита из ВВС-2011, а лучше - из СЛА; коллекторы ключей должны быть подключены на базы Т25, Т26.
Пока так.
Глазам не верю, что это мог кто-то нарисовать в виде готовой схемы.
С1 надо 3,3 нФ, перенести левее и вставить ещё один резистор 560 Ом перед ним. Иначе корректирующая цепь R9C3 работать не будет.
VD4 на общий надо.
R11=2,2k, чтобы не было подработки Т6 до срабатывания токовой защиты. Токовая защита тут так, как показано, не будет работать по причине остаточного напряжения на эмиттерных переходах Т23, Т24, отпирающего Т25, Т26. Кроме того, потенциал эмиттера Т6 равен -12 В, а выход УМ и эмиттер Т27 может иметь и -45 В, что ставит под вопрос работу Т27: при выходных напряжениях менее -12 В его коллекторный переход сместится в прямом направлении. В самый раз придётся защита из ВВС-2011, а лучше - из СЛА; коллекторы ключей должны быть подключены на базы Т25, Т26.
Пока так.
Глазам не верю, что это мог кто-то нарисовать в виде готовой схемы.
Смущают транзисторы ВК с граничной частотой 10 МГц. Их надо бы в симуле прогнать. Вот модели для них:
Код:
.MODEL KT8101 NPN (IS=29.4733P BF=1.28124K NF=1.00448 VAF=90.7 IKF=5.4099
+ ISE=3.03808P NE=1.14574 BR=256.79M IKR=60.2683M ISC=3.36943U RE=65.1304M
+ RC=10.2639M CJE=5P MJE=500M CJC=5P MJC=500M TF=8.51949N XTF=500.012M VTF=10
+ ITF=38.2957M TR=10N)
.MODEL KT8102 PNP (IS=4.63971P BF=760.901 VAF=100 IKF=4.35839 ISE=522.607F
+ NE=1.14076 BR=2 IKR=9.97108K ISC=12.541F RE=75.3313M RC=228.01M CJE=5P
+ MJE=500M CJC=5P MJC=500M TF=15.1341N XTF=500.003M VTF=10 ITF=10.6983M TR=10N)
Модели не годные: CJE, CJC - ни в какие ворота; соотношение TF и TR неправдоподобное.
Автор, Вы уж не обижайтесь, но Ваша схема - пример плохого проектирования, когда маленькие дырочки залатаны, а большие на месте.
Каскоды во втором каскаде практически ничего не дадут - размах напряжения на коллекторах небольшой. При этом в третьем каскаде эффект Эрли ничем не компенсирован, и, учитывая входной импеданс ВК, он будет давать основную нагрузку на выход УН. Полевые транзисторы на входе - у них малая крутизна и бОльшая нелинейность по сравнению с биполярными. Будет играть вкусно, но не точно. Диоды на выходе первого каскада будут принимать ток нелинейно, насколько это проблема - вопрос, но она возможна. В общем, попытка хорошая, но не более. Решения предлагать не буду, просто из тех соображений, что автор сам всё понимает. Тут немного структуру поправить и будет хорошо.
ПС Хорошо, когда агрессия имеет созидательные последствия, но это так редко. Все же.. начинать нужно с себя
Каскоды во втором каскаде практически ничего не дадут - размах напряжения на коллекторах небольшой. При этом в третьем каскаде эффект Эрли ничем не компенсирован, и, учитывая входной импеданс ВК, он будет давать основную нагрузку на выход УН. Полевые транзисторы на входе - у них малая крутизна и бОльшая нелинейность по сравнению с биполярными. Будет играть вкусно, но не точно. Диоды на выходе первого каскада будут принимать ток нелинейно, насколько это проблема - вопрос, но она возможна. В общем, попытка хорошая, но не более. Решения предлагать не буду, просто из тех соображений, что автор сам всё понимает. Тут немного структуру поправить и будет хорошо.
ПС Хорошо, когда агрессия имеет созидательные последствия, но это так редко. Все же.. начинать нужно с себя
Конструктивненько.
Ваша критика - пример плохой критики.
Думаю, автор расскажет, почему. По пунктам...
Конечно. Ваши чувства излишни в данной ситуации. Рационально - хорошее проектирование. нерационально - плохое. Ничего личного, ага? Японские кружева в сторону.
Конечно. Для демонстрации понимания и принятия полезности критики обещаем
Пока что примеров "рационального" проектирования от вас не видно. Совсем.
Только критика в духе вегаляпа - запустить "чайник Рассела", а другие пусть доказывают, что его нет.
По каскодам: вы, наверное, не заметили, что они стоят только между низковольтной и высоковольтной частями УН.
По полевикам: это не безООСник. Тут петлевого бездна и входной каскад работает в точке, а не на участке своей ВАХ.
Результаты моделирования и испытаний в железе такого дифа при сверхглубокой ОООС показывают, что замена полевиков биполярами на линейность практически не влияет...
Только критика в духе вегаляпа - запустить "чайник Рассела", а другие пусть доказывают, что его нет.
По каскодам: вы, наверное, не заметили, что они стоят только между низковольтной и высоковольтной частями УН.
По полевикам: это не безООСник. Тут петлевого бездна и входной каскад работает в точке, а не на участке своей ВАХ.
Результаты моделирования и испытаний в железе такого дифа при сверхглубокой ОООС показывают, что замена полевиков биполярами на линейность практически не влияет...
Зона 1. Выбором напряжения питания первых двух каскадов УН +/-12...15 В удалось сократить количество дефицитных высоковольтных транзисторов и упростить схему. Каскоды тут поставлены с чисто технической целью: разгрузить по напряжению низковольтные Т2, Т36, иначе их Укэ поднялось до 70...80 В. Большого напряжения сигнала на выходе второго - входе третьего каскада не ожидалось, т.к.
Увх3к=УвыхУМ/Ку3к
то есть, несколько милливольт максимум и Эрли тут бояться незачем.
Зона 2. Не согласен. Баксандал прекрасно тиранит Эрли. Согласно симуляции, выходной импеданс пары Баксандала в коллекторе Т2 до двадцати килогерц превосходит импеданс запертого транзистора Т3:
Зона 3. Так и есть, в первом приближении.
Но есть пара НО.
а) Топология позволяет менять ПТ на БТ, почти не задумываясь - разве, только о токе дифа. Для ПТ он больше.
б) На таких глубинах ООС транзисторы входного дифа работают на столь малых приращениях выходных токов и входных дифнапряжений, что выбор типа прибора - чисто дело вкуса. Симулятор разницы почти не видит. Да что там симулятор. Её не слышит и сам Платошкин.
Зона 4. Проверялось неоднократно и очень придирчиво. Найденная конфигурация клипзащиты просто превосходна. Как постоянные, так и переменные напряжения на диодах настолько малы:
Увх2к=УвыУМ/(Ку2к х Ку3к)
не приводят к шунтированию ими высокоомной точки. Практически, там максимум несколько милливольт, а для сколь-нибудь заметного отпирания диодов надо не менее 100 мВ. Это очень большой перекос для зоны 4.
Ещё бы. Отрицая, предлагай.
Согласитесь также, известные вам сборища бестолковых инженеров ввиду наглядной бесполезности и не заслуживали лучшего обращения, а принятые среди них методы технической дискуссии живо напоминают
У вас нет разрешения на просмотр ссылки, пожалуйста Вход или Регистрация
Да всё просто. Третий каскад откинуть вообще, а спереди добавить еще дифф, если хочется 3 каскада. Количество дефицитных транзисторов еще подсократится
.За пояснения спасибо, правда не со всем согласен. Спорить не буду, лень.
