Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Проверял транзисторы VL035(37) в усилителе. Нагрузка 1,5 Ом ... 8 Ом - нормально работают, на 1,5 Ом тяжеловато, выдержали, не сгорели. Работы по изготовлению транзисторов ведутся.
О транзисторах VL от автора приборов В. Лебедева.
К вопросу о мощных высоковольтных быстродействующих транзисторах и микросборках на их основе.
На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них - MESH и BSIT- за последние 10 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные:
MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ;
BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп?0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы.
Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в открытом состоянии) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения.
И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT:
расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме,
а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии:
более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки (микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току.
В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов.
Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов.
Все вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах до 30МГц и в ключевых до 100кГц на любую реактивную нагрузку.
Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В, UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ - ничтожно малый вклад в потери.
SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.