SIRET-транзисторы. Новые. Русские.

Sagittarius

Неуравновешен. Склонен к офтопу и оскорблениям.
1 Мар 2017
28,773
5,520
Проверял транзисторы VL035(37) в усилителе. Нагрузка 1,5 Ом ... 8 Ом - нормально работают, на 1,5 Ом тяжеловато, выдержали, не сгорели. Работы по изготовлению транзисторов ведутся.

О транзисторах VL от автора приборов В. Лебедева.

К вопросу о мощных высоковольтных быстродействующих транзисторах и микросборках на их основе.

На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них - MESH и BSIT- за последние 10 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные:

MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ;

BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп?0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы.

Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в открытом состоянии) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения.

И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT:

расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме,

а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии:

более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки (микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току.

В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов.

Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов.

Все вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах до 30МГц и в ключевых до 100кГц на любую реактивную нагрузку.

Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В, UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ - ничтожно малый вклад в потери.

SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.
 
Ю

Юрий

Guest
Так что там с ними, допилили их?
Я просто общался полгодика назад с менеджером - было сказано, что кристалл пока дорабатывается.
 

Rus2000

I=U/R
17 Окт 2017
12,209
5,600
Плюк
Ничего нового не слышно по отечественным выходникам и драйверам VL035-VL037?
По даташитам должны быть отличные приборы для наших задач:
1577565605628.png
1577565632357.png
1577565692993.png

1577565531171.png
 

install

Не проверенный
3 Май 2020
1
0
52
Крайне интересно приобрести мелкую партию для тестирования в параллельном повторителе.

Андрей.
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
Где взять образцы?
Проверим, как они ведут себя в глубокоОООСных сверхлинейниках.


Все зависит от цены.
Ваши слова да российскому правительству в уши про себестоимость производства и преференции по налогообложению для разработчиков в области высоких технологий на территории РФ, не имеющих своего завода.
Просто имею большой опыт 30-летней работы на рынке РФ по продажам транзисторов и чипов, разработанных нами и сделанные в России, и успешно справлялся с конкурентами из Китая, продавая 1млн. чипов в год, но это совсем другая история.
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
Да кстати, образцы планируем к осени выставить на рынок через сеть российских дистрибьютеров типа Чип и Дип или других поставщиков.
Ведутся переговоры.
 

wakh

Вахтанг, Москва
14 Июл 2018
3,811
1,743
69
Москва
www.diyaudio.ru
Про VL035N пишут, что держит не менее 220 В при токе покоя 50 мА.
Интересно, сколько будет, при 150 мА.

У 2SC5200, при этом токе (150 мА), гарантируется 150 В пробивного напряжения.

bias.png
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
Во-первых, это достигается профилем концентрации примеси эпитаксиального слоя и конструкцией (топологией) кристалла.
В России есть такие импортные установки эпитаксиального наращивания, которые позволяют получать данный параметр, а разница между конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных MESH и SIRET описана выше.
Во-вторых, смотрите ДШ.
А в-третьих, все оцените на готовых изделиях Vl035D.
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
Вся информация по применению данных транзисторов Vl035 и сравнения их с импортными аналогами в УНЧ смотреть по ссылке
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
ссылка на продавца в предыдущем листе под номером 52 смотрите текст
Добрый день!
Оказывается, чтобы разработать самим и произвести транзисторы по фаундри гораздо проще, чем договорится их продавать через сеть дистрибьютеров.
Об этом я лучше помолчу. Вот предложил бы импортное, а не русское тогда бы........Но переговоры ведутся...
Вот ссылка на продавца в Москве, по которой можно заказать транзисторы

Думаю, что торг уместен, это же рынок!
 

vl o..

Не проверенный
14 Май 2022
7
1
90
А вот когда продадим VL035D успешно и с этих денег VL037 запустим на благо России и обычных радиолюбителей.
Мы свои разработки из собственных средств делаем. И на паперти никогда не стояли с протянутой рукой у государства.
Я не Чубайс и другие КОМАНДИРЫ от власти , у меня кредитов без % от государства нет ни копейки, которые потом можно списывать.
А для общего развития почитай вот здесь
во вкладке 17.06.2022, 12:51
 

Rus2000

I=U/R
17 Окт 2017
12,209
5,600
Плюк
для общего развития почитай вот здесь
О как.
"Так ты слона не продашь" С такими манерами вам лучше барыжить на Митинском рынке, а не здесь.

Мы сверхлинейники делаем практически на любой комплектухе.
Когда и если появятся доступные VL.xx, сможем и их применить.

А пока что по 501р за штуку и с намеками на недоразвитость, это транзиля для турбопатриотов-шапкозакидателей.

Мы свои разработки из собственных средств делаем.
Сколько уже десятилетий этой технологии?
 
Последнее редактирование:

12943

Старожил
6 Дек 2017
1,527
824
Барыжить было бы можно, если бы было чем.
Получается, что транзисторы надо заказывать у каких-то жуликов с рынка.
 

О Нас

  • Наше сообщество существует уже много лет и гордится тем, что предлагает беспристрастные и критические обсуждения среди любителей радиоэлектроники. Мы каждый день работаем над тем, чтобы быть лучше.

Быстрая Навигация

Пользовательское Меню