Буфер "Фантом", собрано и обмеряно в железе.

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Буфер "Фантом"
Он как бы есть, но его вроде, как и нет :) , если рассматривать спектры.
Модель получена путём упрощения буфера "Левша", за несколько итераций.
Учтён опыт предыдущих разработчиков, из темы "Высоколинейные повторители меж РГ и УМ".

Буфер Фантом схема.png
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Измерения, буфер нагружен на входное сопротивление 1,8кОм. Питание +/-15В. На входе РГ 268кОм.
Уровень сигнала контролировался осциллографом на выходе буфера. Уровни сигнала на спектрограммах относительные.

1643959433993.png

Буфер68к_2В_вх_Rn_1.8k_спектр1.png
Буфер68к_2В_вх_Rn_1.8k_подробно1.png
Буфер0к_2В_вх_Rn_1.8k_спектр1.png Буфер0к_2В_вх_Rn_1.8k_подробно1.png
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Печатная плата, P-CAD 2001, пока под ЛУТ, типоразмер 0805.
Кто будет разрабатывать плату самостоятельно, рекомендую сделать для транзисторов VT12/VT9 площадки примыкающие к как можно большей площади меди, для лучшего отвода тепла.


Буфер Фантом плата.png
Платы в сборе.jpg
 

Вложения

Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Настройка.
1. Проверить транзисторы на hfe(можно DT-830B) и диоды на исправность. Резисторы на соответствие номиналу.
2. После монтажа:
соединить входную землю с питающей Gin c Ge на плате.
проверить режимы по постоянному току - падение напряжения на R7,R8 примерно 840мВ(4,2мА), R12,R13 примерно 750мВ(8,4мА).
Общий потребляемый ток - примерно 16мА на плечо, по падению напряжения на R11,R14 - примерно 540мВ.
3. При возможности проверить искажения.

Три платы после пайки запустились сразу, без проблем, показав типичное отсутствие искажений.
У одной платы, уровень искажений оказался не расчётный. Пришлось увеличить номиналы С3/С4 до 30пФ, а R3/R6-уменьшить до 5,1к.

Пример площадки для измерения смд транзисторов
1643962485316.png

Чтобы не ошибиться при пайке, можно распечатать схему и плату и обозначить цветом компоненты. Важные параметры отметить карандашом на схемах.
В качестве иллюстрации.

1643963055434.jpeg
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Ответы на типичные вопросы.
1. Платы собраны на транзисторах ВС847С/857С - маркировка на корпусе 1GW/3GW. hfe в диапазоне 464...532.
Транзисторы с наибольшим коэффициентом усиления идут в позиции Т9/Т12/Т1/Т2
С другими типами транзисторов схема не проверялась.

2. Все резисторы 1% допуск. Выводной резистор на плате 22к.

3. Диоды BAV99.

4. Постоянное напряжение на выходе после прогрева для 4х измеренных плат +1.8, -7, -4, -12мВ. Можно установить ближе к 0мВ, включив параллельно одному из резисторов R12/13 подстроечник от 2кОм и затем заменить его резистором полученного номинала.

5. Номинальное сопротивление нагрузки должно быть не менее 5кОм. При меньших номиналах - до 2кОм - следует заменить транзисторы Т9/12 на ВС550/560С, рассчитанных на большую рассеиваемую мощность.
5.1 Если сопротивление нагрузки >=5кОм, можно уменьшить ток ВК до 4мА, увеличением сопротивления резисторов R12/13 до 150...160 Ом.
В этом случае, рассеиваемая мощность на Т9/12 не превысит 100мВт.

6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.

7. Для защиты меди от окисления, дорожки покрыты слоем флюса Ф-3. Просушка - сутки на батарее. Измерение искажений проводилось в таком виде.
 
Последнее редактирование:

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
481
224
49
Юрий, подскажите, пож,: можно ли этот буфер выполнить на транзисторных сборках 2-PNP, 2-NPN, NPN+PNP? И как лучше группировать транзисторы?
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
Юрий, подскажите, пож,: можно ли этот буфер выполнить на транзисторных сборках 2-PNP, 2-NPN, NPN+PNP? И как лучше группировать транзисторы?
Выполнить то можно, но какие получатся параметры, не отвечу, да и тип транзисторов не приведён. Пары я бы составил так NPN+PNP Т1/2, Т3/4, Т6/7, Т10/11. Эти пары рассеивают одинаковую мощность, поэтому будут находиться в одинаковых температурных режимах. Но разводка ПП КМК усложнится.
 

Eskimo

Постоялец
10 Апр 2021
134
31
54
6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.
А если заменить их на что-нибудь в SOT-223? Например, BCP53/56.

как раз вчера-сегодня симулил буфер средней сложности с 5 страницы, который с ГСТ на 2 транзисторах, и использовать планировал/ую именно их
 

Вложения

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
481
224
49
Но разводка ПП КМК усложнится
При такой группировке-скорее всего, да. А сборки хотел попробовать и аналогичную,
Они, правда с бетой 200...450, но симулятор показывает рост искажений терпимый, до 0.000008%.
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
А если заменить их на что-нибудь в SOT-223? Например, BCP53/56.

как раз вчера-сегодня симулил буфер средней сложности с 5 страницы, который с ГСТ на 2 транзисторах, и использовать планировал/ую именно их
Не хотелось плодить типоразмеры. А так-то при замене надо проверять в железе на искажения.
Можно поставить ВС550/560, если ожидается напряжённый температурный режим внутри корпуса, всё равно с обратной стороны электролиты торчат.
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,185
1,624
Николаевская обл.
При такой группировке-скорее всего, да. А сборки хотел попробовать и аналогичную,
Они, правда с бетой 200...450, но симулятор показывает рост искажений терпимый, до 0.000008%.
Смотреть надо интермоды 19+20кГц, они, насколько я помню, сильно подрастут, чего бы не хотелось.
 

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
481
224
49

Вложения

Magnet

Постоялец
24 Янв 2020
224
137
37
Новосибирск
Буфер "Фантом"
Он как бы есть, но его вроде, как и нет :) , если рассматривать спектры.
Модель получена путём упрощения буфера "Левша", за несколько итераций.
Учтён опыт предыдущих разработчиков, из темы "Высоколинейные повторители меж РГ и УМ".

Посмотреть вложение 61831
Здравствуйте! Известно ли максимальное Rвх буфера, не считая резистора R1? Можно ли поставить R1 большого номинала, >1Мом?
 

Magnet

Постоялец
24 Янв 2020
224
137
37
Новосибирск
В симуляторе любое сопротивление на любой частоте можно найти разделив амплитуду напряжения на амплитуду тока.
ЛТСу, к сожалению, не обучен. Если верить мультисиму, то при f=20кГц, если отбросить R1 и С1, Rвх=202Мом, если взять транзисторы Т1Т2 с меньшей бетой, то 140Мом. С подключенным С1 при f=20кГц, Rвх=157кОм - маловато будет.
Можно ли взять номиналы ФНЧ - R2=1,8кОм, C1=8,2пФ? По идее частота ФНЧ должна остаться неизменной, но симулятор говорит, что она слегка повышается также повышается крутизна спада ФНЧ. Что скажете?
 

О Нас

  • Наше сообщество существует уже много лет и гордится тем, что предлагает беспристрастные и критические обсуждения среди любителей радиоэлектроники. Мы каждый день работаем над тем, чтобы быть лучше.

Быстрая Навигация

Пользовательское Меню