Буфер "Фантом", собрано и обмеряно в железе.
- Автор темы YuriyB
- Дата начала
Настройка.
1. Проверить транзисторы на hfe(можно DT-830B) и диоды на исправность. Резисторы на соответствие номиналу.
2. После монтажа:
соединить входную землю с питающей Gin c Ge на плате.
проверить режимы по постоянному току - падение напряжения на R7,R8 примерно 840мВ(4,2мА), R12,R13 примерно 750мВ(8,4мА).
Общий потребляемый ток - примерно 16мА на плечо, по падению напряжения на R11,R14 - примерно 540мВ.
3. При возможности проверить искажения.
Три платы после пайки запустились сразу, без проблем, показав типичное отсутствие искажений.
У одной платы, уровень искажений оказался не расчётный. Пришлось увеличить номиналы С3/С4 до 30пФ, а R3/R6-уменьшить до 5,1к.
Пример площадки для измерения смд транзисторов
Чтобы не ошибиться при пайке, можно распечатать схему и плату и обозначить цветом компоненты. Важные параметры отметить карандашом на схемах.
В качестве иллюстрации.
1. Проверить транзисторы на hfe(можно DT-830B) и диоды на исправность. Резисторы на соответствие номиналу.
2. После монтажа:
соединить входную землю с питающей Gin c Ge на плате.
проверить режимы по постоянному току - падение напряжения на R7,R8 примерно 840мВ(4,2мА), R12,R13 примерно 750мВ(8,4мА).
Общий потребляемый ток - примерно 16мА на плечо, по падению напряжения на R11,R14 - примерно 540мВ.
3. При возможности проверить искажения.
Три платы после пайки запустились сразу, без проблем, показав типичное отсутствие искажений.
У одной платы, уровень искажений оказался не расчётный. Пришлось увеличить номиналы С3/С4 до 30пФ, а R3/R6-уменьшить до 5,1к.
Пример площадки для измерения смд транзисторов
Чтобы не ошибиться при пайке, можно распечатать схему и плату и обозначить цветом компоненты. Важные параметры отметить карандашом на схемах.
В качестве иллюстрации.
Последнее редактирование:
Ответы на типичные вопросы.
1. Платы собраны на транзисторах ВС847С/857С - маркировка на корпусе 1GW/3GW. hfe в диапазоне 464...532.
Транзисторы с наибольшим коэффициентом усиления идут в позиции Т9/Т12/Т1/Т2
С другими типами транзисторов схема не проверялась.
2. Все резисторы 1% допуск. Выводной резистор на плате 22к.
3. Диоды BAV99.
4. Постоянное напряжение на выходе после прогрева для 4х измеренных плат +1.8, -7, -4, -12мВ. Можно установить ближе к 0мВ, включив параллельно одному из резисторов R12/13 подстроечник от 2кОм и затем заменить его резистором полученного номинала.
5. Номинальное сопротивление нагрузки должно быть не менее 5кОм. При меньших номиналах - до 2кОм - следует заменить транзисторы Т9/12 на ВС550/560С, рассчитанных на большую рассеиваемую мощность.
5.1 Если сопротивление нагрузки >=5кОм, можно уменьшить ток ВК до 4мА, увеличением сопротивления резисторов R12/13 до 150...160 Ом.
В этом случае, рассеиваемая мощность на Т9/12 не превысит 100мВт.
6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.
7. Для защиты меди от окисления, дорожки покрыты слоем флюса Ф-3. Просушка - сутки на батарее. Измерение искажений проводилось в таком виде.
1. Платы собраны на транзисторах ВС847С/857С - маркировка на корпусе 1GW/3GW. hfe в диапазоне 464...532.
Транзисторы с наибольшим коэффициентом усиления идут в позиции Т9/Т12/Т1/Т2
С другими типами транзисторов схема не проверялась.
2. Все резисторы 1% допуск. Выводной резистор на плате 22к.
3. Диоды BAV99.
4. Постоянное напряжение на выходе после прогрева для 4х измеренных плат +1.8, -7, -4, -12мВ. Можно установить ближе к 0мВ, включив параллельно одному из резисторов R12/13 подстроечник от 2кОм и затем заменить его резистором полученного номинала.
5. Номинальное сопротивление нагрузки должно быть не менее 5кОм. При меньших номиналах - до 2кОм - следует заменить транзисторы Т9/12 на ВС550/560С, рассчитанных на большую рассеиваемую мощность.
5.1 Если сопротивление нагрузки >=5кОм, можно уменьшить ток ВК до 4мА, увеличением сопротивления резисторов R12/13 до 150...160 Ом.
В этом случае, рассеиваемая мощность на Т9/12 не превысит 100мВт.
6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.
7. Для защиты меди от окисления, дорожки покрыты слоем флюса Ф-3. Просушка - сутки на батарее. Измерение искажений проводилось в таком виде.
Последнее редактирование:
Выполнить то можно, но какие получатся параметры, не отвечу, да и тип транзисторов не приведён. Пары я бы составил так NPN+PNP Т1/2, Т3/4, Т6/7, Т10/11. Эти пары рассеивают одинаковую мощность, поэтому будут находиться в одинаковых температурных режимах. Но разводка ПП КМК усложнится.
А если заменить их на что-нибудь в SOT-223? Например, BCP53/56.
как раз вчера-сегодня симулил буфер средней сложности с 5 страницы, который с ГСТ на 2 транзисторах, и использовать планировал/ую именно их
Вложения
При такой группировке-скорее всего, да. А сборки хотел попробовать https://www.chipdip.ru/product/bc847bdw и аналогичную,
Они, правда с бетой 200...450, но симулятор показывает рост искажений терпимый, до 0.000008%.
Не хотелось плодить типоразмеры. А так-то при замене надо проверять в железе на искажения.
Можно поставить ВС550/560, если ожидается напряжённый температурный режим внутри корпуса, всё равно с обратной стороны электролиты торчат.
Смотреть надо интермоды 19+20кГц, они, насколько я помню, сильно подрастут, чего бы не хотелось.
Так точно, выросли. Почти -150 стало. Видимо, нет смысла со сборками затеваться.
Вложения
Magnet
Постоялец
Здравствуйте! Известно ли максимальное Rвх буфера, не считая резистора R1? Можно ли поставить R1 большого номинала, >1Мом?Буфер "Фантом"
Он как бы есть, но его вроде, как и нет, если рассматривать спектры.
Модель получена путём упрощения буфера "Левша", за несколько итераций.
Учтён опыт предыдущих разработчиков, из темы "Высоколинейные повторители меж РГ и УМ".
Посмотреть вложение 61831
Magnet
Постоялец
ЛТСу, к сожалению, не обучен. Если верить мультисиму, то при f=20кГц, если отбросить R1 и С1, Rвх=202Мом, если взять транзисторы Т1Т2 с меньшей бетой, то 140Мом. С подключенным С1 при f=20кГц, Rвх=157кОм - маловато будет.
Можно ли взять номиналы ФНЧ - R2=1,8кОм, C1=8,2пФ? По идее частота ФНЧ должна остаться неизменной, но симулятор говорит, что она слегка повышается также повышается крутизна спада ФНЧ. Что скажете?
Rus2000
I=U/R
Зачем?
Magnet
Постоялец
Хочу поставить его на выход ЦАПа LC7881. Он хочет большое Rн.