Буфер "Фантом", собрано и обмеряно в железе.

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Буфер "Фантом"
Он как бы есть, но его вроде, как и нет :) , если рассматривать спектры.
Модель получена путём упрощения буфера "Левша", за несколько итераций.
Учтён опыт предыдущих разработчиков, из темы "Высоколинейные повторители меж РГ и УМ".

Буфер Фантом схема.png
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Измерения, буфер нагружен на входное сопротивление 1,8кОм. Питание +/-15В. На входе РГ 268кОм.
Уровень сигнала контролировался осциллографом на выходе буфера. Уровни сигнала на спектрограммах относительные.

1643959433993.png

Буфер68к_2В_вх_Rn_1.8k_спектр1.png
Буфер68к_2В_вх_Rn_1.8k_подробно1.png
Буфер0к_2В_вх_Rn_1.8k_спектр1.png Буфер0к_2В_вх_Rn_1.8k_подробно1.png
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Печатная плата, P-CAD 2001, пока под ЛУТ, типоразмер 0805. Для промзаказа и герберы сделаю попозже.
Кто будет разрабатывать плату самостоятельно, рекомендую сделать для транзисторов VT12/VT9 площадки примыкающие к как можно большей площади меди, для лучшего отвода тепла.


Буфер Фантом плата.png
Платы в сборе.jpg
 

Вложения

Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Настройка.
1. Проверить транзисторы на hfe(можно DT-830B) и диоды на исправность. Резисторы на соответствие номиналу.
2. После монтажа:
соединить входную землю с питающей Gin c Ge на плате.
проверить режимы по постоянному току - падение напряжения на R7,R8 примерно 840мВ(4,2мА), R12,R13 примерно 750мВ(8,4мА).
Общий потребляемый ток - примерно 16мА на плечо, по падению напряжения на R11,R14 - примерно 540мВ.
3. При возможности проверить искажения.

Три платы после пайки запустились сразу, без проблем, показав типичное отсутствие искажений.
У одной платы, уровень искажений оказался не расчётный. Пришлось увеличить номиналы С3/С4 до 30пФ, а R3/R6-уменьшить до 5,1к.

Пример площадки для измерения смд транзисторов
1643962485316.png

Чтобы не ошибиться при пайке, можно распечатать схему и плату и обозначить цветом компоненты. Важные параметры отметить карандашом на схемах.
В качестве иллюстрации.

1643963055434.jpeg
 
Последнее редактирование:

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Ответы на типичные вопросы.
1. Платы собраны на транзисторах ВС847С/857С - маркировка на корпусе 1GW/3GW. hfe в диапазоне 464...532.
Транзисторы с наибольшим коэффициентом усиления идут в позиции Т9/Т12/Т1/Т2
С другими типами транзисторов схема не проверялась.

2. Все резисторы 1% допуск. Выводной резистор на плате 22к.

3. Диоды BAV99.

4. Постоянное напряжение на выходе после прогрева для 4х измеренных плат +1.8, -7, -4, -12мВ. Можно установить ближе к 0мВ, включив параллельно одному из резисторов R12/13 подстроечник от 2кОм и затем заменить его резистором полученного номинала.

5. Номинальное сопротивление нагрузки должно быть не менее 5кОм. При меньших номиналах - до 2кОм - следует заменить транзисторы Т9/12 на ВС550/560С, рассчитанных на большую рассеиваемую мощность.
5.1 Если сопротивление нагрузки >=5кОм, можно уменьшить ток ВК до 4мА, увеличением сопротивления резисторов R12/13 до 150...160 Ом.
В этом случае, рассеиваемая мощность на Т9/12 не превысит 100мВт.

6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.

7. Для защиты меди от окисления, дорожки покрыты слоем флюса Ф-3. Просушка - сутки на батарее. Измерение искажений проводилось в таком виде.
 
Последнее редактирование:

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
425
168
46
Юрий, подскажите, пож,: можно ли этот буфер выполнить на транзисторных сборках 2-PNP, 2-NPN, NPN+PNP? И как лучше группировать транзисторы?
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
Юрий, подскажите, пож,: можно ли этот буфер выполнить на транзисторных сборках 2-PNP, 2-NPN, NPN+PNP? И как лучше группировать транзисторы?
Выполнить то можно, но какие получатся параметры, не отвечу, да и тип транзисторов не приведён. Пары я бы составил так NPN+PNP Т1/2, Т3/4, Т6/7, Т10/11. Эти пары рассеивают одинаковую мощность, поэтому будут находиться в одинаковых температурных режимах. Но разводка ПП КМК усложнится.
 

Eskimo

Постоялец
10 Апр 2021
134
31
52
6. Температурный режим - палец долговременно терпит прикосновение к Т9/Т12, наиболее нагретым компонентам.
А если заменить их на что-нибудь в SOT-223? Например, BCP53/56.

как раз вчера-сегодня симулил буфер средней сложности с 5 страницы, который с ГСТ на 2 транзисторах, и использовать планировал/ую именно их
 

Вложения

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
425
168
46
Но разводка ПП КМК усложнится
При такой группировке-скорее всего, да. А сборки хотел попробовать и аналогичную,
Они, правда с бетой 200...450, но симулятор показывает рост искажений терпимый, до 0.000008%.
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
А если заменить их на что-нибудь в SOT-223? Например, BCP53/56.

как раз вчера-сегодня симулил буфер средней сложности с 5 страницы, который с ГСТ на 2 транзисторах, и использовать планировал/ую именно их
Не хотелось плодить типоразмеры. А так-то при замене надо проверять в железе на искажения.
Можно поставить ВС550/560, если ожидается напряжённый температурный режим внутри корпуса, всё равно с обратной стороны электролиты торчат.
 

YuriyB

Горняк
3 Апр 2018
2,135
1,427
Николаевская обл.
При такой группировке-скорее всего, да. А сборки хотел попробовать и аналогичную,
Они, правда с бетой 200...450, но симулятор показывает рост искажений терпимый, до 0.000008%.
Смотреть надо интермоды 19+20кГц, они, насколько я помню, сильно подрастут, чего бы не хотелось.
 

lopuh

Постоялец
22 Мар 2020
425
168
46

Вложения

О Нас

  • Наше сообщество существует уже много лет и гордится тем, что предлагает беспристрастные и критические обсуждения среди любителей радиоэлектроники. Мы каждый день работаем над тем, чтобы быть лучше.

Быстрая Навигация

Пользовательское Меню