Модели интегральных схем для LTSpice

Микрокап:
* OPAMP
* PINS: 1=NC+ 2=NC- 3=VEE 4=VO 5=VCC
.SUBCKT LM343 1 2 3 4 5
IEE 10 3 6.7516e-005
VS1 11 0 0
VC 5 16 2.600000000000001
VE 17 3 2.600000000000001
VLP 19 0 20
VLN 0 20 20
VS2 13 15 0
F1 13 14 POLY(5) VS1 VC VE VLP VLN 0 42441318.15783876 -42441318.15783876
+ 42441318.15783876 42441318.15783876 -42441318.15783876
E1 14 0 POLY(2) 5 0 3 0 0 0.5 0.5
H1 18 0 VS2 1000
GCM 0 12 10 0 5.364673694102003e-009
GA 12 0 6 7 0.0001696460032938488
C1 6 7 7.794228634059948e-012
CE 10 14 1e-019
C2 12 13 2.7e-011
RC1 5 6 5894.62752192205
RC2 5 7 5894.62752192205
RE1 8 10 5127.070700316283
RE2 9 10 5127.070700316283
RE 10 14 2962260.797440607
RP 5 3 147791.3487770266
R2 12 11 100000
RO2 13 14 25
ROUTAC 15 4 50
D5 3 5 D
D3 4 16 D
D4 17 4 D
D1 18 19 D
D2 20 18 D
Q1 6 2 8 QINN
Q2 7 1 9 QINP
*
.MODEL D D ()
.MODEL QINN NPN (BF=3970.588235294118)
.MODEL QINP NPN (BF=4499.999999999999 IS=1e-016)
.ENDS LM343
Мультисим:
.SUBCKT LM343_3 3 2 6 4 5
* Model Generated by MODPEX *
*Copyright(c) Symmetry Design Systems*
* All Rights Reserved *
* UNPUBLISHED LICENSED SOFTWARE *
* Contains Proprietary Information *
* Which is The Property of *
* SYMMETRY OR ITS LICENSORS *
*Commercial Use or Resale Restricted *
* by Symmetry License Agreement *
* Model generated on Sep 8, 97
* MODEL FORMAT: SPICE3
* Rev Date, 15 Sep 94
* EXTERNAL NODE DESIGNATIONS
* 5 --> - SUPPLY (VEE)
* 4 --> + SUPPLY (VCC)
* 6 --> OUTPUT
* 2 --> (-) INPUT
* 3 --> (+) INPUT
EOX 120 10 31 32 2.0
RCX 120 121 1K
RDX 121 10 1K
RBX 120 122 1K
GOS 10 57 122 121 1.0
RVOS 31 32 1K
RINB 2 18 1000
RINA 3 19 1000
DIN1 5 18 DMOD2
DIN2 18 4 DMOD2
DIN3 5 19 DMOD2
DIN4 19 4 DMOD2
EXX 10 5 17 5 1.0
EEE 10 50 17 5 1.0
ECC 40 10 4 17 1.0
RAA 4 17 100MEG
RBB 17 5 100MEG
ISET 10 24 1e-3
DA1 24 23 DMOD1
RBAL 23 22 1000
ESUPP 22 21 4 5 1.0
VOFF 21 10 -1.25
DA2 24 25 DMOD1
VSENS1 25 26 DC 0
RSET 26 10 1K
CSET 26 10 1e-10
FSET 10 31 VSENS1 1.0
R001 34 10 1K
FTEMP 10 27 VSENS1 1.0
DTA 27 10 DMOD2
DTB 28 29 DMOD2
VTEMP 29 10 DC 0
ECMR 38 10 11 10 1.0
VCMX 38 39 DC 0
RCM2 41 10 1MEG
EPSR 42 10 4 10 1.0
CDC1 43 42 10U
VPSX 43 44 DC 0
RPSR2 45 10 1MEG
FCXX 57 10 VCXX 100
DCX1 98 97 DMOD1
DCX2 95 94 DMOD1
RCX1 99 98 100
RCX2 94 99 100
VCXX 99 96 DC 0
ECMX 96 10 11 10 1.0
DLIM1 52 57 DMOD1
DLIM2 57 51 DMOD1
ELIMP 51 10 26 10 99.3
GDM 10 57 3 2 1
C1 58 59 1e-10
DCLMP2 59 40 DMOD1
DCLMP1 50 59 DMOD1
RO2 59 10 1K
GO3 10 71 59 10 1
RO3 71 10 1
DDN1 73 74 DMOD1
DDN2 73 710 DMOD1
DDP1 75 72 DMOD1
DDP2 71 720 DMOD1
RDN2 710 71 100
RDP 720 72 100
VOOP 40 76 DC 0
VOON 77 50 DC 0
QNO 76 73 78 NPN1
QNP 77 72 79 PNP1
RNO 78 81 1
RPO 79 81 1
VOX 86 6 DC 0
RNT 76 81 100MEG
RPT 81 77 1MEG
FX 10 93 VOX 1.0
DFX1 93 91 DMOD1
VFX1 91 10 DC 0
DFX2 92 93 DMOD1
VFX2 10 92 DC 0
FPX 4 10 VFX1 1.0
FNX 10 5 VFX2 1.0
RAX 122 10 1.004000e+03 MRAX
.MODEL MRAX R TC1=1e-05
FIN1 18 5 VTEMP 0.910256
FIN2 19 5 VTEMP 1.08974
CIN1 2 10 1e-12
CIN2 3 10 1e-12
RD1 18 11 5e+06
RD2 19 11 5e+06
RCM 11 10 9.75e+07
FCMR 10 57 VCMX 31.6228
FPSR 10 57 VPSX 20
RSLOPE 4 5 100000
GPWR 4 5 26 10 0.00144
ETEMP 27 28 32 33 0.303797
RIB 32 33 1K MRIB
.MODEL MRIB R TC1=0.00432278
RISC 33 34 1K MRISC
.MODEL MRISC R TC1=-0.0025
RCM1 39 41 31.6228
CCM 41 10 5.30516e-09
RPSR1 44 45 10
CPSR 45 10 1.59155e-08
ELIMN 10 52 26 10 112.508
RDM 57 10 240.759
C2 57 10 1.14791e-10
ECMP 40 97 26 10 2.5
ECMN 95 50 26 10 2.5
G2 58 10 57 10 2.65e-06
R2 58 10 1567.37
GO2 59 10 58 10 180
EPOS 40 74 26 10 2.6
ENEG 75 50 26 10 2.7
GSOURCE 74 73 33 34 0.0002
GSINK 72 75 33 34 0.0002
ROO 81 86 47.5
.MODEL DMOD1 D
*-- DMOD1 DEFAULT PARAMETERS
*IS=1e-14 RS=0 N=1 TT=0 CJO=0
*VJ=1 M=0.5 EG=1.11 XTI=3 FC=0.5
*KF=0 AF=1 BV=inf IBV=1e-3 TNOM=27
.MODEL DMOD2 D (IS=1e-17)
*-- DMOD2 DEFAULT PARAMETERS
*RS=0 N=1 TT=0 CJO=0
*VJ=1 M=0.5 EG=1.11 XTI=3 FC=0.5
*KF=0 AF=1 BV=inf IBV=1e-3 TNOM=27
.MODEL NPN1 NPN (BF=100 IS=1e-15)
*-- NPN1 DEFAULT PARAMETERS
*NF=1 VAF=inf IKF=inf ISE=0 NE=1.5
*BR=1 NR=1 VAR=inf IKR=inf ISC=0
*NC=2 RB=0 IRB=inf RBM=0 RE=0 RC=0
*CJE=0 VJE=0.75 MJE=0.33 TF=0 XTF=0
*VTF=inf ITF=0 PTF=0 CJC=0 VJC=0.75
*MJC=0.33 XCJC=1 TR=0 CJS=0 VJS=0.75
*MJS=0 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 KF=0 AF=1
*FC=0.5 TNOM=27
.MODEL PNP1 PNP (BF=100 IS=1e-15)
*-- PNP1 DEFAULT PARAMETERS
*NF=1 VAF=inf IKF=inf ISE=0 NE=1.5
*BR=1 NR=1 VAR=inf IKR=inf ISC=0
*NC=2 RB=0 IRB=inf RBM=0 RE=0 RC=0
*CJE=0 VJE=0.75 MJE=0.33 TF=0 XTF=0
*VTF=inf ITF=0 PTF=0 CJC=0 VJC=0.75
*MJC=0.33 XCJC=1 TR=0 CJS=0 VJS=0.75
*MJS=0 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 KF=0 AF=1
*FC=0.5 TNOM=27
.ENDS LM343_3
 
Добрый день!

В некоторых интернетах пишут, что КР1408УД1 является аналогом LM343D.
Существует ли SPICE-модель этого ОУ?

Заранее - спасибо.
Частота в два раза ниже. Существенно больше входные токи. Схемы нет, что бы сравнить. Т.е. Российский разработчик имеет более отсталую технологию изготовления. Усиление супер бета транзисторов в три раза ниже.
 
"Пишут нам много...
Погубит нас всеобщая грамотность."

В некоторых интернетах пишут, что КР1408УД1 является аналогом LM343D.
В тех же энторнетах пишут, что позорный УМЗЧ ВВ-89 это "лучший усилитель всех времён и народов".

пишут, что КР1408УД1 является аналогом LM343D.
Существует ли SPICE-модель этого ОУ
Из вопроса непонятно, модель какого ОУ разыскивается.

Схемы нет, что бы сравнить. Т.е. Российский разработчик имеет более отсталую технологию изготовления.
КМК, гениальный вывод на основании отсутствующих исходных данных.
 
Добрый день!

Является ли модель 574УД1 окончательной, принятой к использованию?
(когда я ставлю её в схему RIAA-корректора "Корвет У100-068С", счёт тянется долго, около часа. Я ни разу не смог дождаться успешного окончания. Приходится подставлять модели 544УД1 или 544УД2)
 
Добрый день!

Пожалуйста, помогите назначить правдоподобные свойства транзисторам, диодам и источнику тока (в этой "модели" LM386).

Заранее - спасибо!

PS
Отбой, модель есть у А.П.Бордодынова, даже несколько, в папке .\lib\sym\ZZZ\Sound_Amplifiers
 

Вложения

  • DOC000225874.pdf
    DOC000225874.pdf
    182.4 KB · Просмотры: 5
  • LM386.asc
    LM386.asc
    3 KB · Просмотры: 5
Последнее редактирование:
Вот подправленная модель:
* Source File: LM386Blk.asc
* Developer: ETech (eetech00@yahoo.com)
* Created: Feb 28 2016
* Revision: NA
*
* This TI LM386 spice model has
* been tested with LTSpice. Temperature is not modeled.
*
* block symbol definitions
.subckt LM386_ETech G1 INN INP DGND OUT VS BYPASS G8
Q3 N011 N011 DGND 0 NP .2
Q2 N011 N009 N004 0 PN .2
Q1 DGND INN N009 0 PN .2
R1 INN DGND 50k
Q4 N007 N011 DGND 0 NP .2
R2 G1 G8 1.35k
Q5 N007 N010 G1 0 PN .2
Q6 DGND INP N010 0 PN .2
R3 INP DGND 50k
Q7 N008 N007 DGND 0 NP .2
Q8 N006 N012 DGND 0 NP 20
C1 N008 N007 10p
Q9 N012 N008 N006 0 PN .2
R4 OUT N006 0.5
R5 N003 OUT 0.5
R6 OUT G1 15k
Q10 VS N002 N003 0 NP 20
Q11 N002 N001 VS 0 PN .2
R7 BYPASS N004 15k
R8 N001 BYPASS 15k
Q§D2 N002 N002 N005 0 NP 20
R9 N001 DGND 3400
R10 G8 N004 150
Q12 N001 N001 VS 0 PN .2
Q§D1 N005 N005 N008 0 NP 20
*
* generic transistor models generated
* with MicroSim's PARTs utility, using
* default parameters except Bf.
* (but default parameters do not match LTspice defaults):
.model NP NPN(Is=10f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100
+ Bf=400 Ise=0 Ne=1.5 Ikf=0 Nk=.5 Xtb=1.5 Var=100
+ Br=1 Isc=0 Nc=2 Ikr=0 Rc=0 Cjc=2p Mjc=.3333
+ Vjc=.75 Fc=.5 Cje=5p Mje=.3333 Vje=.75 Tr=10n
+ Tf=1n Itf=1 Xtf=0 Vtf=10)
.model PN PNP(Is=10f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100
+ Bf=200 Ise=0 Ne=1.5 Ikf=0 Nk=.5 Xtb=1.5 Var=100
+ Br=1 Isc=0 Nc=2 Ikr=0 Rc=0 Cjc=2p Mjc=.3333
+ Vjc=.75 Fc=.5 Cje=5p Mje=.3333 Vje=.75 Tr=10n
+ Tf=1n Itf=1 Xtf=0 Vtf=10)
.ends LM386
 

Вложения

  • LM386.txt
    LM386.txt
    1.4 KB · Просмотры: 10
Большое спасибо!

Перерисовал символ по-человечески.
 

Вложения

  • LM386_ETech.asy.txt
    LM386_ETech.asy.txt
    1.2 KB · Просмотры: 7
Отрисовал схему по списку связей, мне кажется, там есть ошибка: правый вывод R8 должен идти на шину питания, а не в токозадающую цепь ГСТ:
1735230301413.png

Сделал так:
1735230547282.png
 
Последнее редактирование:
Привет.
Нашел схему tl071 на просторах, причесал к оригиналу, есть проблема начинает работать только от +-6 вольт, при работе со смещением на выходе ноль.
 

Вложения

Последнее редактирование:
при работе со смещением на выходе ноль.
В смысле, при работе от однополярного питания с подачей смещения на неинвертирующий вход?

В общем - уже модели транзисторов не годятся, посмотрите ток потребления и сдвиг нуля. У меня ток показывает 40 мА (с 1N750 вместо 1N730) и сдвиг - около 150 мВ!
  • Если "совсем тяп-ляп" - то припишите к транзисторам Q10 и Q11 параметр m=0.2 (Ctrl+ПКМ на символе, ввести в поле SpiceLine). К остальным биполярным - припишите m=0.02. Проверить адекватность - по току потребления и напряжению сдвига на входе;
  • Для "умеренного тяп-ляп" - я бы посоветовал модели транзисторов, добытые catBot для 1407УД1. Для Q10 и Q11 - с параметром m равным 10 и 5 соответственно;
  • Если гнаться за большей достоверностью, то, как минимум, - надо оценить ток дифкаскада у реальных ИМС (измерив сопротивления с выводов подстройки нуля на минус питания и напряжения на них в рабочем режиме). Ещё - желательно фото кристалла, т.к. у ONsemi/Motorola гораздо более закрученная схема.
 
В смысле, при работе от однополярного питания с подачей смещения на неинвертирующий вход?
Спасибо.
Питание делитель и средняя точка через резистор подается на неинвертирующий вход.
Что обозначает число после наименования модели у транзистора?
Как этот параметр m подбирается?
071 в наличии нет, только 072, надо будет закупиться.
 
Последнее редактирование:
Что обозначает число после наименования модели у транзистора?
Скриншот бы...
Как этот параметр m подбирается?
Это параметр условной площади транзистора. Т.к. в ИМС они намного меньше, чем в BC54x, то он меньше единицы. Выходные транзисторы ИМС (Q10, Q11) - [почти] всегда больше остальных, т.к. должны выдавать наружу ток в два-три десятка мА. Подбирать, например, - по справочной кривой тока потребления ИМС.
 
Ещё один подход к снаряду - схема 544УД2 с учётом площадей транзисторов. Как обычно - по фото кристалла с Радиокартинок. Отличия от публикуемой схемы невелики, но - есть. Модели транзисторов взял, как обычно, Экситоновские. Для обеих типов транзисторов взял модель вертикального n-p-n транзистора, т.к. в этой ИМС все транзисторы - вертикальные. Для p-n-p транзисторов взял немного меньшие значения Is и Bf.
В статике, без уточнений параметров транзисторов, получились токи ветвей первого, второго дифкаскадов и J34 порядка 700 мкА, Q38 - чуть более 1 мА, выходной каскад - чуть менее 200 мкА.

Сам имею один образец в пластике, без заводского логотипа. Маркировка УД2А (с очень широкой Д), дата выпуска - B6 (июнь 1991). Но не могу прогнозировать - займусь ли и когда его обмером. И вообще - 554-ли это? Желающие - могут принять участие с результатами измерений своих образцов.

Проверить параметры JFET можно по изменению общего тока потребления при подаче запирающего напряжения. В усилительной схеме, вроде, - видно и крутизну (Beta_base), но при малых отсечках (2 В) кривая ведёт себя неровно. Так-что первой - надо определить отсечку (Vto_base). Почему сдвинуто на 1,4-1,5 В - понятно?

Проверить параметры (в основном - Is, во вторую очередь - Bf) p-n-p подавая ток между V+ и B1 и измеряя падение напряжения - можно. Общее питание ИМС - отсутствует. Ориентировочный диапазон тока - от 5-10 мкА до 1-2 мА с одним-двумя шагами тока в декадах.

Проверить параметры n-p-n подавая ток между V+ и FC2, скорее всего, - нельзя. 40 кОм (R16) замаскируют всё.

Измерение тока первого ДК:
° R5 не даёт измерить ток ДК закороткой вывода B1 на V+...
° Можно попытаться оценить косвенно, по напряжению на выводах балансировки относительно V+ (после уточнения моделей p-n-p транзисторов). Именно оценить, т.к. изменение тока на 10% даёт всего 1 мВ напряжения.
° Возможно хорошо оценить ток ДК отъёмом тока из выв. B2. Отбираемый ток будет примерно равен току ДК, когда выход приблизится к насыщению у V- (см. error log).
° Из измеренного тока и его стабильности в зависимости от напряжения питания - можно оценить правильность параметров n-p-n (в основном - Is, во вторую очередь - Bf).

Потом можно измерить ограничение выходного тока для дополнительного уточнения параметров биполярных транзисторов. Прежде всего n-p-n, параметры которых недоступны для прямого измерения.

Потом - можно поиграться ёмкостями для воспроизведения "книжной" АФЧХ.
 

Вложения

  • 544УД2_annotated.JPG
    544УД2_annotated.JPG
    760.1 KB · Просмотры: 68
  • 544UD2.zip
    544UD2.zip
    19.5 KB · Просмотры: 13
  • Переходные_характеристики.PNG
    Переходные_характеристики.PNG
    63.9 KB · Просмотры: 55
  • Ток_первого_дифа.PNG
    Ток_первого_дифа.PNG
    49.7 KB · Просмотры: 29
  • Параметры_pnp.PNG
    Параметры_pnp.PNG
    51.4 KB · Просмотры: 29
  • Параметры_JFET.PNG
    Параметры_JFET.PNG
    67.4 KB · Просмотры: 54
  • Схема_с_кристалла.PNG
    Схема_с_кристалла.PNG
    61.6 KB · Просмотры: 67
Ещё один подход к снаряду
Работа проведена масштабная.
Респект.

Маркировка УД2А (с очень широкой Д), дата выпуска - B6 (июнь 1991). Но не могу прогнозировать - займусь ли и когда его обмером. И вообще - 554-ли это?
Это очень похоже на КР544УД2А.
Проверить быстрее всего на стенде, по усилению без коррекции и с полной встроенной коррекцией (перемычка 1-8).
Без коррекции должно быть более 75дБ усиления на 20к, а с перемычкой - примерно 53-54дБ.

В принципе, уже пару лет использую модель, хорошо стыкующуюся с даташитом и реальным железом в плане потребляемого тока, входных токов, входных емкостей, выходных токов и реакции на внешние цепи коррекции.
Во всяком случае, расчетная коррекция и режимы воспроизводятся в железе практически идеально.

Замена диода Д1 на коллекторный переход Т29 большой площади приводит в модели к тому, что портится АЧХ нескомпенсированного ОУ:
1746523079277.png
Вот этот горб на верхнем графике (компенсация отключена) в железе не наблюдается.

1746532545076.png
 
Замена диода Д1 на коллекторный переход Т29 большой площади приводит в модели к тому, что портится АЧХ нескомпенсированного ОУ:
Вот этот горб на верхнем графике (компенсация отключена) в железе не наблюдается.
Подумаю над этим. Хорошо бы спросить у А Александр_57 - правильно ли я интрепретировал этот кусок.
 
На этом фото хорошо видно, что нижний левый вывод подключен к N области компонента (кликабельно):
1746526568774.png
Однозначно интерпретировать области, к которым подключены два других вывода этого компонента (Д1/Т29), мне не удается.
Скорее всего, это диод. Перемычка соединяет два вывода анода (снижает внутреннее сопротивление перехода?).
Площадь верхней обкладки конденсатора - примерно 0,095 кв.мм.

Сравните с NPN транзистором, или с NPN транзистором в диодном включении (Замкнуты К-Б):
1746526769469.png 1746527203470.png
Тут однозначно понятна структура и назначение выводов.
 
Последнее редактирование:
Назад
Сверху Снизу