Микрухи у меня в металле, ориентировался на даташит отсюда https://rudatasheet.ru/microchips/k1407ud1_kr1407ud1/ входы 3 и 4 ноги. Думаю 1,5 Вольта с генератора мало, я специально делал предварительный усилитель на 071-ой с переключаемым КУ от 2 до 10. Или нумерацию ножек неправильно считаешь, напротив ключа вывод 1 а не 8, как у 140УД11, такие размышления.
Модели интегральных схем для LTSpice
Alan Bins
Штурман Билли
Вложения
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Это упрощенная схема из старого справочника, Лаврентий Палыч.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Ты ж сам себе ответил.
Проверьте, у кого есть К140УД8, его искажения от источника через 1к и 100к, только от +входа на общий конденсатор 15 пФ надо бросить.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Допилил посильно. Там была пара ошибок по исходной схеме.
1. С таким диодом токи дифа малы. Без него токи по 200 мкА, скорость - 25 В/мкс, как и было в старину измерено, а не 5 В/мкс податашиту справочнику.
2. Сюда подключать коллектор предосудительно. Но возможно.
3. А вот сюда подключать коллектор Т21 защиты вообще бессмысленно. Он так КоЗу не остановит.
1. Два полевика в нагрузке Т19 - для тока Т19 800 мкА.
2. R5 3,3к задаёт человеческий ток покоя ВК.
3. R4 задаёт ток Т15.
4. R1R3 могут быть такими.
5. R10 должен быть таким же, как R7R8 выше.
1. С таким диодом токи дифа малы. Без него токи по 200 мкА, скорость - 25 В/мкс, как и было в старину измерено, а не 5 В/мкс по
2. Сюда подключать коллектор предосудительно. Но возможно.
3. А вот сюда подключать коллектор Т21 защиты вообще бессмысленно. Он так КоЗу не остановит.
1. Два полевика в нагрузке Т19 - для тока Т19 800 мкА.
2. R5 3,3к задаёт человеческий ток покоя ВК.
3. R4 задаёт ток Т15.
4. R1R3 могут быть такими.
5. R10 должен быть таким же, как R7R8 выше.
Многовато усиления на постоянке, по паспорту 50 000=94дБ, сейчас 115дБ=500 000.
Sagittarius
Витя "интеграторовед" Подлец сквернослов плагиатор
Есть вариант. На заводе - нормальные люди. Как они мерили Ку? Доводили Увых до 10 В и мерили Удифф.
Но для этого один выходник должен был держать 25 В, а другой - 5. И один из них грелся больше.
И грел ближайший к нему транзистор входного дифа.
При этом, в зависимости от фазы тепловой ООС, ток дифа мог увеличиваться или уменьшаться,
а сама ООС - быть отрицательной или положительной.
Во избежание "разгона" ОУ простым выбором расположения выходников и входных транзисторов обратную тепловую связь выбирали отрицательной. То есть, на НЧ АЧХ Кухх снова падала к постоянке:
Если продолжить мысленно восходящую линию Кухх, на 10 Гц запросто может быть более 120 дБ.
Но нет.
Но для этого один выходник должен был держать 25 В, а другой - 5. И один из них грелся больше.
И грел ближайший к нему транзистор входного дифа.
При этом, в зависимости от фазы тепловой ООС, ток дифа мог увеличиваться или уменьшаться,
а сама ООС - быть отрицательной или положительной.
Во избежание "разгона" ОУ простым выбором расположения выходников и входных транзисторов обратную тепловую связь выбирали отрицательной. То есть, на НЧ АЧХ Кухх снова падала к постоянке:
Если продолжить мысленно восходящую линию Кухх, на 10 Гц запросто может быть более 120 дБ.
Но нет.
!Neofit
Постоялец
- Непонятно, зачем разработчики использовали в качестве VT1 и VT9 транзисторы с коллектором-подложкой. У них очень толстая база и очень низкая бета (в модели этих транзисторов - скорректировать Bf "вниз").
- Относительные размеры n-p-n транзисторов,
беря за единицу VT4: VT25 и VT26 - 2,5; VT27 и VT28 - 60; остальные - как VT4.
- Относительные размеры p-n-p транзисторов, беря за единицу VT3: VT16 и VT22 - 2; остальные - как VT3.
- Ошибки, допущенные в схеме из "Радиоежегодник 1986" (3-я схема в сообщении 276 - диодное включение VT10 и VT20, отсутствие соединения коллектора VT10 с базой VT11, коллектором VT12 и истоком VT12, отсутствие соединения коллектора VT18 с его базой) - уже скорректированы.
Не ток дифа, а отношение токов его плеч. Похоже - именно так. VT9+VT7 (неинв. вход) на той же стороне, что и VT27 (выход в "плюс"). При увеличении напряжения на этом входе ток VT7 уменьшается, а при прогреве VT7 растёт - есть ООС.
Последнее редактирование:
!Neofit
Постоялец
P.S. Т.е.
Интересно было бы также измерить "в реале" сопротивление между выводом 2 (V-) и "ушками" (подложкой) и ток (или напряжение) между ними "на ходу". Это могло бы помочь уточнить модель p-n-p транзисторов Полярона(?) в части утечки тока на подложку.
ток УН (коллекторный VT17) составляет около 600 мкА - вдвое больше тока дифкаскада (2*150 мкА по описанию в "Радиоежегодник 1986").
Интересно было бы также измерить "в реале" сопротивление между выводом 2 (V-) и "ушками" (подложкой) и ток (или напряжение) между ними "на ходу". Это могло бы помочь уточнить модель p-n-p транзисторов Полярона(?) в части утечки тока на подложку.
Последнее редактирование:
!Neofit
Постоялец
Новогодний подарок - 574УД1. По фото кристалла с Радиокартинок
- уточнена схема. Все вопросы со второго фото - включены в неё. Единственный диод - заменен переходом "база-эмиттер" для снижения числа независимых переменных. Относительные размеры резисторов и эмиттерных областей в пикселях - в файле 574UD1.txt (см. приложенный архив). По результатам теста №2 - появились вопросы по интерпретации сопротивления резистора R10. По результатам теста №4 - появились вопросы по интерпретации сопротивлений резисторов R12 и R15.
Схема ОУ.
Краткие описания тестов. Для тестирования использована 1 штука КР574УД1Б, выпущенная зав. им. Пегельмана (омега с коленвалом) в октябре 1989 г.
Тест 1. Подав на входы ОУ запирающее напряжение (движок R2 вверху) и подключая между выводами 7 и 1 резисторы (1%) - измеряем напряжение на выводе 1. По результатам - определяются сопротивление квадратного участка резистивного (базового) слоя и ток насыщения n-p-n транзисторов.
Источник B1 - экспериментальные данные. Данные с листа графиков - экспортирую в текст, открываю в табличном процессоре, по несложным формулам считаю сумму разности квадратов вариантов модели и эксперимента и определяю вариант с подходящими параметрами по минимуму суммы.
Тест 2. Подав на входы ОУ запирающее напряжение (движок R2 вверху) и изменяя напряжение питания - измеряем ток потребления. Ток течёт только через R10. Источник B1 - экспериментальные данные (и далее).
По результатам - корректируем сопротивление R10 и уточняем ток насыщения p-n-p транзисторов. В итоге - нелинейность R10 решил не вводить, чтобы модель была побыстрее.
Тест 3. Замыкая через микроамперметр вывод 5 на 4 (V-) и изменяя напряжение на выводе 3 (неинвертирующий вход) - измеряем ток J1 и J3. По результатам - определяем параметры полевых транзисторов. При напряжении на выводе 3 в диапазоне 4..-2 В (относительно вывода 7, V+) - напряжение отсечки и крутизну, при напряжении в диапазоне -5..-10 В - выходную проводимость.
Результат:
Лимит картинок в сообщении - привёл к потере последнего набранного абзаца...
Схема ОУ.
БП для тестов формирует напряжение питания ОУ (10..32.5 В, DA2, C4, R6-R18, свечение VD2 индицирует режим "стабильное напряжение"), напряжение для запирания входного каскада (питание ОУ плюс 5 В - VD1, C2) и регулируемое напряжение для входов ОУ (от минус 10 до 4..5 В относительно вывода V+, DA1, VT1-VT2, R1-R3, C1).
Всё это запитано от ограничителя тока (12..15 мА, VT3-VT4, R19-R21, C5). R21-C5 - предотвращают самовозбуждение стабилизатора, когда две ООС (через DA2 и VT4) пытаются пересилить друг-друга.
Всё это запитано от ограничителя тока (12..15 мА, VT3-VT4, R19-R21, C5). R21-C5 - предотвращают самовозбуждение стабилизатора, когда две ООС (через DA2 и VT4) пытаются пересилить друг-друга.
Краткие описания тестов. Для тестирования использована 1 штука КР574УД1Б, выпущенная зав. им. Пегельмана (омега с коленвалом) в октябре 1989 г.
Тест 1. Подав на входы ОУ запирающее напряжение (движок R2 вверху) и подключая между выводами 7 и 1 резисторы (1%) - измеряем напряжение на выводе 1. По результатам - определяются сопротивление квадратного участка резистивного (базового) слоя и ток насыщения n-p-n транзисторов.
Источник B1 - экспериментальные данные. Данные с листа графиков - экспортирую в текст, открываю в табличном процессоре, по несложным формулам считаю сумму разности квадратов вариантов модели и эксперимента и определяю вариант с подходящими параметрами по минимуму суммы.
Тест 2. Подав на входы ОУ запирающее напряжение (движок R2 вверху) и изменяя напряжение питания - измеряем ток потребления. Ток течёт только через R10. Источник B1 - экспериментальные данные (и далее).
По результатам - корректируем сопротивление R10 и уточняем ток насыщения p-n-p транзисторов. В итоге - нелинейность R10 решил не вводить, чтобы модель была побыстрее.
Тест 3. Замыкая через микроамперметр вывод 5 на 4 (V-) и изменяя напряжение на выводе 3 (неинвертирующий вход) - измеряем ток J1 и J3. По результатам - определяем параметры полевых транзисторов. При напряжении на выводе 3 в диапазоне 4..-2 В (относительно вывода 7, V+) - напряжение отсечки и крутизну, при напряжении в диапазоне -5..-10 В - выходную проводимость.
Результат:
Лимит картинок в сообщении - привёл к потере последнего набранного абзаца...
Вложения
Последнее редактирование:
!Neofit
Постоялец
Тест 4. Замыкая ООС измеряем ток потребления ОУ в зависимости от номинального напряжения питания (27,5-32,5 В). С полученными по измерению относительных линейных размеров значениями R12 и R15 - ток модели занижен, выходной каскад "голодает". Много раз рассматривал фото, но не нашёл поводов пересчитать сопротивления или ввести в них нелинейности. Разброс отношений сопротивлений внутри кристалла заведомо невелик, большие разбросы возможны между разными сторонами пластины, разными пластинами и партиями пластин. В итоге - увеличиваю R12 и R15 до примерного соответствия тока потребления. R12 - ток покоя выхода, R15 - соотношение токов между Q19 и Q20.
Тест 6. При замкнутой ООС выставляем разные напряжения на выходе (-10, 0 и 10 В) и измеряем изменения тока покоя. По результатам - определяем подверженность транзисторов эффекту Эрли. Зависимость путанная, но Vaf подогнались с довольно высокой точностью.
Тест 5 - неудачная попытка определения Vaf n-p-n транзисторов.
По хорошему - надо прогнать все симуляции ещё раз, используя как начальные параметры моделей транзисторов - данные шестого теста. Т.е. уточнить в первом тесте Rsq и NPN_Is_base при уточнённом Vaf и так далее. Кто желает потренироваться?
Емкости транзисторов - оставляю на усмотрение сообщества. Alan Bins пару месяцев назад спрашивал моё мнение о ёмкостях JFET'ов. Сошлись, ЕМНИП, на "единицы пФ". 5 пФ - например.
Архив с моделями, в них - развёрнутые комментарии.
Как вариант - можно изъмечтать ещё какие-нибудь тесты:
- с запиранием полевиков (выводы 2 и 3 положительнее вывода 7) и подачей тока между выводом 5 (плюс) и 7 (минус) и измерением падения напряжения на участке Q26eb - R12 - Q15bc - Q18bc;
- с запиранием полевиков и подачей тока между выводом 4 (плюс) и 7 (минус) и измерением падения напряжения на участке R15 - Q19cb - R12 - Q15bc - Q18bc.
P.S. Утечки на подложку в p-n-p транзисторах не симулирую, т.к. где-то видел, что этот ОУ выполнен с диэлектрической изоляцией компонентов (хотя и не всех) и соединение подложки с выводом 4 нигде не просматривается.
Тест 6. При замкнутой ООС выставляем разные напряжения на выходе (-10, 0 и 10 В) и измеряем изменения тока покоя. По результатам - определяем подверженность транзисторов эффекту Эрли. Зависимость путанная, но Vaf подогнались с довольно высокой точностью.
Тест 5 - неудачная попытка определения Vaf n-p-n транзисторов.
По хорошему - надо прогнать все симуляции ещё раз, используя как начальные параметры моделей транзисторов - данные шестого теста. Т.е. уточнить в первом тесте Rsq и NPN_Is_base при уточнённом Vaf и так далее. Кто желает потренироваться?
Емкости транзисторов - оставляю на усмотрение сообщества. Alan Bins пару месяцев назад спрашивал моё мнение о ёмкостях JFET'ов. Сошлись, ЕМНИП, на "единицы пФ". 5 пФ - например.
Архив с моделями, в них - развёрнутые комментарии.
Как вариант - можно изъмечтать ещё какие-нибудь тесты:
- с запиранием полевиков (выводы 2 и 3 положительнее вывода 7) и подачей тока между выводом 5 (плюс) и 7 (минус) и измерением падения напряжения на участке Q26eb - R12 - Q15bc - Q18bc;
- с запиранием полевиков и подачей тока между выводом 4 (плюс) и 7 (минус) и измерением падения напряжения на участке R15 - Q19cb - R12 - Q15bc - Q18bc.
P.S. Утечки на подложку в p-n-p транзисторах не симулирую, т.к. где-то видел, что этот ОУ выполнен с диэлектрической изоляцией компонентов (хотя и не всех) и соединение подложки с выводом 4 нигде не просматривается.
Вложения
Последнее редактирование: