YuriyB написал(а):
И ещё, объясните по простому,что значит установить режимы усилителя по постоянному току?
Так как я понимаю применительно к обсуждаемой схеме:
1. Задаём ток ГСТ для ДК(сразу вопрос, а какой оптимальный по опыту предыдущих конструкций?)
2. Подбираем сопротивление эмиттерных резисторов, чтобы транзисторы ДК не входили в насыщение при подаче на вход номинального напряжения +50% или ххх% фактически клип.
3. Подбираем коллекторные резисторы токового зеркала( по какому критерию?)
4. Подбираем сопротивление эмиттерного повторителя согласующего каскада, Напряжение на резистрое должно быть???(какие критерии, я для себя пока не могу понять??? хотя на мой взгляд правильнее всего RвыхДК=RвхСогласующегоКаскада(следящее. что-ли)
5. Как выбрать сопротивление резистора в цепи эмиттера транзистора дёргающего УН(выкинуть нафиг, хотя хорошо сдвигает фазу влево за счёт усиления).
6. Какой ток ГСТ оптимален для УН. (Фантомас немного объяснил но хотелось бы немного поконкретней, влияет на а х . е . з. чо. , или всё таки задаётся с осмысленным влиянием на ???
7. Ток покоя транзисторов ВК. Пока что понял. что лучше всего поддерживать 25мВ на эмиттере 2СЦ5200, как то оно связано с температурной зависимостью.
8. А у нас в ВК еще есть предвыходные и предпредвыходные, а им какой ток устанавливать? Или какое напряжение на ЭБК должны быть.
Пока всё.
1. Зависит от выходного сопротивления источника/РГ. Ставим последовательно генератору резистор Rрг/4 и подбираем самое низкое приведённое ко входу напряжение шумов по директиве вычисления шума.
2. Не факт. Нам нужна высока перегрузочная способность ДК, но на ВЧ. Лучше поставить меж эмиттерами индуктивную коррекцию. Тогда мы получим от ДК на НЧ максимальное усиление, а на ВЧ индуктивность разорвёт связь меж эмиттерами и перегрузочная способность окажется высокой. На клип можно тут не смотреть: ну, перегрузится ДК тремя...пятью вольтами вместо двух. Ничего ему не станется. Довольно зверское выходное напряжение предыдущих каскадов (до напряжения плеча УН - десятки вольт!) может быть на входе второго каскада, и третьего, если он есть. Защищать от перегрузки нужно их.
3. Может, эмиттерные? Тогда так: баланс токов входного ДК задаёт ... баланс токового зеркала. Чем выше сопротивление эмиттерных резисторов, тем меньше влияние разброса параметров транзисторов, но больше влияние паразитной ООС через Скб зеркального транзистора. Большое сопротивление (до пары килоом) допустимо во входных каскадах.
В зеркале на выходе УН это резисторы - 150....220 Ом, иначе будет влиять упомянутая ООС, а при токе покоя ~6 мА на них упадёт достаточно напряжения для их стабильности, равной или большей стабильности зеркал в дифкаскаде. Это напряжение будет гораздо выше, чем 25 мВ теплового напряжения транзистора.
4. Правильно: RвыхДК<RвхСогласующегоКаскада, а ещё лучше, чтобы они были максимально возможными в наиболее широком диапазоне частот. Сделать сверхлинейник на малом количестве каскадов можно только использованием не менее двух высокоомных точек: на выходах всех каскадов усиления напряжения - и, конечно, на входах последующих.
5. Это смотрим, во-первых, по защите входа от выходного напряжения предкаскада, п.2. Вместе с защитными диодами входа это сопротивление должно обеспечивать в клипе режим работы без отсечки тока или насыщения выходных транзисторов УН. Это небольшая жертва усиления: отдай и не греши.
6. 6...8 мА. Это результат компромисса нескольких требований: и чтоб транзистор работал в диапазоне токов максимальной беты, и максимальной частоты усиления по току, и минимального напряжения квазинасыщения, и рассеивал не более 0,7Ррасс макс.
7. 250 мА на пару и не менее. Некоторые пробовали менее: 100 мА - ну, постраЖдали, теперь выставили правильно.
8. 100 мА. И лучше - две пары предвыходников по 100 мА.