Вельми понеже. :)
Ещё можно Шиклаи испытать.
 
wakh написал(а):
Rus2000 написал(а):
Коллеги, подскажите, какой из вариантов узла смещения ВК наиболее стабилен относительно тока покоя последнего каскада УН?
Рус, посмотри такой вариант устроит.
Спасибо, отличный вариант.
 
Sagittarius написал(а):
Вахтанг, убери синус и попробуй через степ-параметр токов ГСТ получить ряд напряжений на эмиттерных резисторах ВК.
ИМХО, нагляднее получается, если вместо синуса генерить пилу:
00:11:47-TBIAS_v02_Tria.gif

Милливольты в точках OUTx соответствуют миллиамперам тока покоя.

В аттаче модели нескольких термоузлов.
Регулировка "верхним" резистором получается очень острой, ИМХО. Надо тут посимулить/уточнить...
 

Вложения

  • TBIAS_05.zip
    TBIAS_05.zip
    5 KB · Просмотры: 27
dbokov написал(а):
Оба транзистора к радиатору или Т24?

Дмитрий, могу сразу ответить - Т24,
причем для удобства можно заменить его на КТ815А, с отверстием для крепежа посередине.

Но могу и объяснить, что к чему.
Здесь мы имеем сильно греющиеся при большой выходной мощности 2 перехода б-э выходных транзисторов, и слабо греющиеся 4 перехода б-э предвыходных транзисторов. В идеальном случае схема начального смещения этих транзисторов могла бы состоять из 6 последовательно включенных диодов, каждый из которых прицеплен к "своему" транзистору для термокомпенсации. Здесь совпали бы все законы, которые позволяют выставить минимальное смещение транзисторов без захода в область отсечки (запирания). Но такое расточительство позволяется только в микросхемах, когда все транзисторы и переходы находятся на одном кристалле.
Поэтому для смещения ВК берется схема параллельного стабилизатора напряжения, а степень термостабильности (т. е. наклон горизонтальной линии в ВАХ стабилизатора) регулируется резистором. (Проще говоря, берется 1 датчик температуры и его показания усиливаются примерно в 6 раз).
Схема 1 - это есть параллельный стаб. напряжения.
Схема 2 - это такой же паралл. стаб. напр., но добавленный транзистор позволяет точнее выставить К ус. всего стабилизатора равный 5,5 ... 6.
Схема 3 - это паралл. стаб. напряжения в квадрате, т. к. стабильность первого стабилизатора умножается на стабильность второго.
При желании, схему 2 можно легко переделать наподобие схемы 3, достаточно переключить один токозадающий резистор, но тогда придется все номиналы пересчитывать.
 
Один эмиттерный переход - термодатчик. Далее идёт каскад с ОЭ и определённым усилением.
Если набрать усиления в петле, зависимость тока выхлопа от тока УН ослабнет.
Ставим для этого Шиклаи, см. левый вариант термодатчика:

21:55:14-12.PNG
 

Вложения

Sagittarius написал(а):
...высокое выходное сопротивление источника ухудшает условия работы ООС: входной транзистор дифкаскада для сигнала последовательной ООС включен по схеме с ОБ, и для эффективности ООС требует как можно лучшего контакта входа с общим - или низкого выходного сопротивления источника...
А если в дифкаскаде вместо биполярников применить полевые транзисторы с N-каналом?
Их высокое входное сопротивление должно снизить требования к сопротивлению источника сигнала.
 
Rus2000 написал(а):
Sagittarius написал(а):
...высокое выходное сопротивление источника ухудшает условия работы ООС: входной транзистор дифкаскада для сигнала последовательной ООС включен по схеме с ОБ, и для эффективности ООС требует как можно лучшего контакта входа с общим - или низкого выходного сопротивления источника...
А если в дифкаскаде вместо биполярников применить полевые транзисторы с N-каналом?
Их высокое входное сопротивление должно снизить требования к сопротивлению источника сигнала.
На практике ПТ во входном дифе почему-то ничем не лучше БТ. Надо понимать, действуют другие причины искажений.
Имеется в виду пожилой голый диф, без слежения.
 
Sagittarius написал(а):
Если набрать усиления в петле, зависимость тока выхлопа от тока УН ослабнет.

Как же приятно общаться с умным человеком! ;D




(Да, еще там надо заново проделать команду .op, иначе неправильные токи ВК показывают).
 
Sagittarius написал(а):
Один эмиттерный переход - термодатчик. Далее идёт каскад с ОЭ и определённым усилением.
Если набрать усиления в петле, зависимость тока выхлопа от тока УН ослабнет.
Ставим для этого Шиклаи...
С Шиклаями стабильность отличная (зеленый график):
23:44:33-TBIAS_v05_Tria.gif


Модель в аттаче
 

Вложения

Ну, так Шиклаи - только начало. Теоретическое обоснование правильное - можно набирать усиления тоннами и получить полную независимость тока ВК от тока УН. Шиклаи - просто наименее затратное решение.
 
В итоге, так мы дойдем до тл431 - но это же дорого! ;D
 
ИМХО, изменение тока покоя на 19% при удвоении тока УН - более чем достаточная стабильность.
 
Выкинул лишние детали, переделал под КТ814А (BD140).
Стабильность не изменилась.
01:32:48-TBIAS_v06_Tria.gif


Милливольты на левой шкале соответствуют миллиамперам тока покоя ВК.
Миллиамперы на правой шкале - ток покоя УН.
 

Вложения

Rus2000 написал(а):
Sagittarius написал(а):
wakh написал(а):
В итоге, так мы дойдем до тл431 - но это же дорого! ;D
А это идея.
С интегральным стабилизатором мы потеряем термостабильность.
Либо придется прикручивать к нему термодатчик.
Ну, да. Датчик-транзистор рпр-структуры, а потом шиклаеподобным подключением к нему - усилитель на 431-й. 431-я работает, как ОУ с собственным усилением.
 
Назад
Сверху Снизу