Модели интегральных схем для LTSpice

Согласен.
Но в железе правильно спроектированный дискретник становится практически один-в-один с моделью.
А у гибридов и, тем более, композитов больше неопределенных факторов. Что приводит к необходимости уточнения параметров при настройке.
 
у гибридов и, тем более, композитов больше неопределенных факторов
Чавой-та? ОУ как минимум одной партии (как мы их покупаем в магазе) испечены на одной линии и в одном цикле. Значит, и полоса/АЧХ/усиление у них одинаковые.
От разных производителей - да, могут быть нюансы.
А вот с дискретами - сложнее: заменил пару типов транзисторов - меняй коррекцию.
 
Чавой-та? ОУ как минимум одной партии (как мы их покупаем в магазе) испечены на одной линии и в одном цикле. Значит, и полоса/АЧХ/усиление у них одинаковые.
От разных производителей - да, могут быть нюансы.
А вот с дискретами - сложнее: заменил пару типов транзисторов - меняй коррекцию.
ОУ как минимум у каждого испечены в подвале дядюшки Ляо или отечественные 90-2000-х когда на ГОСТ забили.Качества кремнезема.

Или готовьте от 500Р за корпус!:D

А транзисторов за 3 р в каждой лавке и оказывается есть очень широкий выбор полевиков если надо для следящего
питания.

Да и моделям транзисторов можно доверять на 99 %,в отличии от даже подетальных моделей ОУ.
По поведению в клипе уж точно.
 
Чавой-та? ОУ как минимум одной партии (как мы их покупаем в магазе) испечены на одной линии и в одном цикле. Значит, и полоса/АЧХ/усиление у них одинаковые.
Здрасьте.
ОУ пекут все, кому не лень.
Замена ОУ на экземпляр из другой партии, а тем более, на другой тип ОУ, тянет за собой необходимость подстройки коррекции.
Тогда как правильно рассчитанный УН допускает очень широкий спектр замен транзисторов вообще без всякой коррекции.
И проверка коллекторной емкости транзистров гораздо проще, чем измерение Ку ОУ.
 
Напали вдвоём на одного. Распустил я вас, понимаешь.
 
Напали вдвоём на одного. Распустил я вас, понимаешь.
Просто надо малость альтернативы.
Из транзисторных пока ОПУС и МАСТЕР.
Ну и у Юры очень много конечно хороших вариантов.
 
Просто надо малость альтернативы.
Из транзисторных пока ОПУС и МАСТЕР.
Ну и у Юры очень много конечно хороших вариантов.
Дык моделей, как по мне, уже на любой вкус. Навернон сдерживат отсутствие печатных плат.

Всех с Праздником.
 
Дык моделей, как по мне, уже на любой вкус. Навернон сдерживат отсутствие печатных плат.

Всех с Праздником.
Транзисторные за исключением ОПУСА и МАСТЕРА только твои. :)
Платы включая универсальную платформу потихоньку нарисуем.

ЗЮ Забыл еще УНИКУМ,Штурман и УВИЛ. :)
 
Вообще говоря, немного напрягает ситуация, когда надо что-то моделировать, а важнейшего элемента нету.
А шо делать? Пришлось по схеме Руса запилить подобие модели АД844:

1591688221987.png
1591688445716.png
Эти транзисторы имитируют гораздо большую, как я догадываюсь, площадь переходов транзисторов показанного зеркала, которую мы другими способами имитировать не можем.
1591688267410.png
Исходник.

Ну, и соберём по ней максимум инфы, а потом проведём мозговой штурм по доведению её до максимально близкого к оригиналу состояния. Олимпийский принцип: не догоним, так согреемся.
 

Вложения

  • AD844.asc
    AD844.asc
    13.2 KB · Просмотры: 40
Ленин также собирал данные по устройству АД844, может, вождь что подскажет.
 
На вегаляпе, в теме про СЛ, Агеев сказал, что ток покоя ВК ЛМ318 - 1,2...1,8 мА.
Глянул: даже со спаренными выходными транзисторами у нас получается 800 мкА, что есть бесчинство.

1592431121048.png

Слева внизу, в ИОН указанный резистор (и R1 в эмиттере Т5) регулирует токи всей ИМС. Им(и) удобно выводить входной ток, тут - 173 нА из диапазона 120...500 нА:

1592431274708.png

Но на схеме:

1592431784562.png

R2 показан подстроечным элементом, а R4 - с фиксированным сопротивлением.

1592431436252.png

Выделенные элементы задают ток ВК, Т29Т38, и вновь введённый резистор помогает добиться в выходном каскаде тока 1,5 мА, почти посредине указанного Агеевым диапазона.

В принципе, ток ВК может влиять на уровень искажений при одиночном включении ОУ и работе на низкоомных нагрузках.

Выложенную тут модель надо обкашлять и, по окончанию прений, ввести в сборник моделей.
 

Вложения

Для ЛТС модель AD8397.
Файл AD8397.asy в папку ....LTspice_IV\lib\sym\Opamps.
Файл ad8397.cir в папку ....LTspice_IV\lib\sub
Тестовая схема прилагается.
 

Вложения

Как недобук с вынь7 выйдет с ППР - попробую поставить LTSpice и покрутить модели и пр.
Процесс зашёл достаточно глубоко. Появилось некое смутное понятие о том, как прикрутить модели транзисторов от Ганса Камензинда (с параметрами и моделированием действия подложки ИМС) и их отмасштабировать.
Чтобы два раза не вставать - вопросы:
1. Моделировать ли режимы насыщения транзисторов? Если не интересно всякое "клипирования" да "меандры" - можно несколько упростить модели для ускорения обсчёта.
2. Кручу RCL'евскую модельку LM318 на предмет предполагаемых токов каскадов. Например - ток эмиттеров входного дифа 380 мкА, выходного каскада (Q29, Q38) - 1,2 мА. Измерялся ли первый ток по этой методике? Остальные токи - выставляете по данным общего тока потребления и "чувству прекрасного". Так?
 
2. Кручу RCL'евскую модельку LM318 на предмет предполагаемых токов каскадов. Например - ток эмиттеров входного дифа 380 мкА, выходного каскада (Q29, Q38) - 1,2 мА. Измерялся ли первый ток по этой методике? Остальные токи - выставляете по данным общего тока потребления и "чувству прекрасного". Так?
Вообще, определение токов каскадов ОУ, которых мало кто видел и мерил - довольно слабое место в наших потугах сделать наиболее точную поэлементную модель. Что известно твёрдо:
1. Номиналы резисторов. Низкоомные резисторы в ИМС - это легированные эмиттерные переходы, а высокоомные - переходы коллекторные. НЯП, реальные сопротивления зависят от точности выдержки времени легирования и могут отличаться от нарисованных на плюс-минус валенок.
2. Проводимости транзисторов и всё, что указано аналоговыми девицами в их свойствах для учебных моделей ОУ. НЯЗ, в интегральной схемотехнике транзисторы не одинаковы, а используются всякие подлые фокусы с площадями переходов для получения транзисторов и узлов (например, источников опорных напряжений и коэффициентов токоотражения зеркал) с заданными свойствами. Кроме того, технологические процессы совершенствуются.
Так что тут тоже точность невысока. Хуже всего - с токами ВК ОУ. Их угадать невозможно, надо мерить. Насчёт ЛМ318: Агеев указал ток 1,2...1,8 мА.
3. Но, допустим, что мы примерно попали в режимы реального ОУ. Мы сразу проверяем их на соответствие логике, обрывкам памяти, здравому смыслу и даташитным параметрам - то есть, сверяем с чувством прекрасного. По теме это видно.
4. Поскольку из всего спектра усилителей мы строим, в основном, гибриды (ОУ+БТ) или композиты (ОУ+ОУ), то больше всего в модели нас интересует АЧХ, скорость нарастания, пусть ещё - входные токи, а меньше - токи ВК, от которых зависит Кг в одиночном включении при работе на определённую нагрузку.
 
Кто может измерить в реале ток первого дифа LM318?
Неинвертирующий вход - на "землю" двуполярного питания (±10..15 В, или на половину однополярного 20..30 В), инвертирующий вход - на выход. Вывод баланса (1 или 5) - закоротить на вывод положительного питания (7) через миллиамперметр.
Какое напряжение питания использовано и какой ток (сотни мкА) показывает миллиамперметр?
 
Кто может измерить в реале ток первого дифа LM318?
Если есть ОУ, то это просто:

140УД11.jpg

Выводы 1-5 - выход входного дифа, используются под балансировку и для коррекции. Ставим ОУ в любую схему с ООСью, включаем микроамперметр меж
соединёнными вместе указанными выводами и +Упит, вывод 7,
или 1-7, или 5-7.
ОУ выйдет из режима, ООС перекосит входной диф так, что в микроамперметр уйдёт весь ток дифа = ток ГСТ дифа.
Смотрим значение, делим на два, получаем ток плеча.
Хорошо бы заодно замерить входные токи установкой цепи 1 МОм//1 нФ во вход и земаром ухода выходного напряжения от исходного значения.
Тогда можем видеть и бету входных транзисторов.
Для получения значения тока второго дифа - микроамперметр на выводы 4-8.
 
Назад
Сверху Снизу