Lazertok написал(а):
S-word написал(а):
Несколько таких циклов усложнения-упрощения, и схема может пойти в массы.
- вот тогда может яичко выпасть на блюдечко с голубой коёмочкой
- чуток попилил файлик Симы с паяла с темы Никитин +
- недостаток - клип не держит свыше 100Вт
п.с. третья картинка - исходник
п.с. четвёртая картинка - сима в молоко ушла, но успел снять параметры с не инверта с исходника,
питание выше , моща ниже - в отстой.
http://rcl-electro.ru/index.php?topic=877.msg9201#msg9201

Не знаю, что ты там такое увидел, из-за чего с тобой оверцитирование приключилось. Я вижу, что человек пробует считать усилители. По меркам златоухих, это страшный вероотступник, ренегат и богохульник. Только лорд Рылей и еговые аристократно-подагрические уши с распадающимся альцгемером подкорковых нейроядер имеют право ставить точки в оценке усилителей, а больше никто (с) подпесть аднаво узко известнава клована.

Если не остановится, начнёт симулить, да ещё таким мощным кладенцом, как ЛТС, махать, обязательно в люди прорубится.

Но вот друзей - да, друзей у него будет немного. Ибо с его будущими знаниями обнаружит он себя врачом среди дурдома, и много друзей среди поцыэнтов ему не положено.

Но оно того стОит.
 
Lazertok написал(а):
п.с. посмотрел полевичок по ДШ - не внушает доверия
С полевичком - отдельная история. Изначально искал что-то, сравнимое с BS107 по электрическим параметрам, но в нормальном корпусе, который способен рассеять 0,5 Вт.
И нашелся полевик, который работает в этой схеме уже несколько лет - sia850d от Vishay. Его уже сняли с производства. Пришлось использовать sib452dk. Нижняя линия на графике ОБР - тепловая, ограниченная корпусом. Она такая же, как и у sia850d. При режиме, в котором прибор работает в усилителе, эта ОБР не нарушена. Линии динамического ОБР у этого транзистора выше, т.к. его максимальный ток в полтора раза больше. Но на выбор транзистора для УМ влияли совсем другие его характеристики.

S-word написал(а):
здесь есть одна тонкость: бОльшее количестве транзисторов, работающих при большой девиации тока. (С)
Напротив. Повышение усиления означает и уменьшение девиации токов так, что это можно принять за аксиому, запомнить мнемотехнически и более не проверять. В даннном случае через нагрузку 10 кОм при Увых=10 В или течёт ток 1 мА одного транзистора, или 2х0,5 мА от двух: один транзистор приоткрывается на 0,5 мА, другой - призакрывается на столько же.
Я не против подобного решения. Просто потребуется заново выбрать режимы транзисторов, т.е. макетировать. По другому - никак.

S-word написал(а):
Забыл сказать: диодный динамический корректор работает только с эмиттерным резистором каскада УН. Получается своеобразный динамический ГСТ, с диодом коррекции в качестве источника опорного напряжерия и эмиттерного резистора, к которому оно приложено. Тут резистора нет.
Вопрос уменьшения динамической нелинейности - отдельный. В статике и многочастотном тесте компоненты интермодуляции без эмиттерного резистора были меньшими (пропорционально увеличению глубины ОООС). Его значение практически было больше, чем 26/Ic. И если на первой плате этот резистор еще присутствовал, то на плате опытного образца его не стало окончательно.
Я выбрал максимум усиления УН и минимум девиации на коллекторах ДК.
Самая большая динамическая нелинейность - частотная у ВК. Изменение вида импульсного отклика в зависимости от постоянной составляющей выходного напряжения дает именно ВК.

S-word написал(а):
Насчёт низкоомной нагрузки УН: понял так, что ты скорректировал усилитель ....резистором. То есть, сбросил усиление не только на ВЧ, где надо, но и с постоянного тока. Всё-таки, это неправильно: теряется масса петлевого, хотя есть небольшой утешительный бонус в виде низкого выходного сопротивления УН и лучшей работы ВК от этого выходного сопротивления.
Нет, не так. Причину выбора низкого значения сопротивления я написал раньше. Устойчивость усилителя при увеличении этого резистора не нарушается. Это проверено в железе. И по результатам экспериментов, остановился на компромиссном значении резистора в 30 кОм (обязательно тонкопленочный). Вообще, без свиста этот аппарат допускал многие издевательства, в частности, установку дросселя в эмиттеры ДК. С соответствующим уменьшением нелинейных искажений. Но окончательные значения элементов были выбраны так, что дальнейшего улучшения по звуку уже не происходило (как, впрочем, и ухудшения).
Что говорить, если существующей глубины ОООС и выбранного режима нагрузки УН хватило для отличной работы выходного каскада аппарата в режиме с нулевым током покоя! Неподготовленные слушатели никаких изменений при уменьшении тока покоя с 90 мА до 0 мА не заметили. Только на студии опытным людям удалось незначительные различия уловить.

Кстати, за все время макетирования и эксплуатации сгорел всего один выходной транзистор, и то от перегрева, так как пока везли аппарат назад из Москвы, от вибрации раскрутился винт крепления транзистора к радиатору (резьба была плохая в алюминии и без фиксатора). Он сгорел от перегрева вместе с эмиттерными резисторами, а канал усилителя стал показывать больше искажений.

S-word написал(а):
В массы усилитель пойти должен по-любому.
Массы - очень сложное дело. Вот обрати внимание на выбор элементной базы. Делая для себя, в ответственные места я ставил приборы, которые подделывать китайцам нет никакого резона. Даже стабилитроны будут 100% оригинал :) И таких вопросов - целый вагон с тележкой. А оно мне надо их решать? Мне сейчас интереснее заниматься ЦАПом, исследованиями, изучением литературы. А что усилитель? Он сделан, хотя, согласен, нет предела совершенству. Но если мыслить шире и двигаться вперед, то тратить время на создание нового аппарата пока резона не вижу. Усилитель - это много времени и работы.
По мощнику, поверь, ниже -110 дБ - подавляющий вклад вносит конструктив. Конечно, схема должна при этом быть на соответствующем уровне.
 
По мощнику, поверь, ниже -110 дБ - подавляющий вклад вносит конструктив. (С)
Платошкин доказал, что эта граница лежит пониже. Кроме того, до неё надо как-то добраться. В этом поможет только сземотехника, да и то - не любая, а глубокоООСная.
 
К вопросу о замене однотакта на двухтакт.
Во вложении две схемы, исходная и с двумя ДК. Там же - АФЧХ без ОООС.
18:55:39-MW_variants.jpg

Правда, Q5 и Q9 в модифицированной схеме имеют разные рассеиваемые мощности. Желательно Q5 закаскодить, но это уже мелочи.
Действительно, АФЧХ очень близки, и вторая схема должна иметь лучший клип.
Разница в усилении составила 1,5 дБ в пользу второго варианта. Чтобы получить 6 дБ выигрыша, возможно, нужно увеличивать усиление по току повторителей после ДК.
Т.е. с одной стороны, существует прямой потенциал к модернизации в "двухтакт", а с другой стороны - почти все, что на нем можно получить, можно получить и в однотактном варианте. Так что поэкспериментировать с большим петлевым возможно и на существующем макете.

Теперь по конструктиву. Если каскодить Q5 и вдвое снизить ток покоя транзисторов в плечах ДК, то можно сохранить площадь радиаторов. Далее, паразитная емкость для левого плеча будет не важна, т.к. коллекторы транзисторов окажутся нагружены низкоимпедансными нагрузками, т.е. "важная" паразитная емкость останется как и в однотакте, только на коллекторах транзисторов правого плеча.
Хуже по большому счету будет только цена, т.к. транзисторы средней мощности стоят дороже меткой рассыпухи.

Модели прикрепил. Заменил на идеальные источники тока и напряжения, и добавил пометки по паразитным емкостям.
 

Вложения

  • MW_0.5_and_modification.pdf
    MW_0.5_and_modification.pdf
    116.4 KB · Просмотры: 73
  • MW_0.5_1.ms12
    MW_0.5_1.ms12
    900.3 KB · Просмотры: 40
  • MW_plus.ms12
    MW_plus.ms12
    881.1 KB · Просмотры: 46
у меня в пром усе пит +/- 112В стоит 5 пар - а тут +/- 50 ВК 4 пары - расточительно!!!
а модель есть покрутить?
 
Lazertok написал(а):
у меня в пром усе пит +/- 112В стоит 5 пар - а тут +/- 50 ВК 4 пары - расточительно!!!
а модель есть покрутить?
В моем усе 4 пары - далеко не самое расточительное :).
Модели прикрепил в предыдущем посту.
 
По первой схеме ПДФа.
R66R70C10 должна валить низА. Обрати внимание.

Реально было бы хорошо отказаться от однотакта и включить два ОБ, соединив базы Ку6, Ку8 и новых транзисторов, нагрузив новые на диодную ветвь зеркала с Ку31 в роли ОЭ-ветви. Сразу отпадает необходимость в симметрирующем Ку4 и получаешь +6 дБ к глубине ООС.
Упс, ты реализовал подобное на схеме ниже. Только там были бы уместны эмиттерные резисторы в дифкаскаде Ку4Ку6.

Для штурма больших глубин ООС замена R1R2 на высокоимпедансную нагрузку критически важна.
Индуктивность в эмиттерных цепях дифкаскада должна быть и входить в общую систему коррекции, иначе теряется глубина ООС в звуковой полосе и на ультразвуке. Генератор тока в эмиттерной цепи дифкаскада не нужен, т.к. на эмиттерах действует напряжение
Уэ=Увых/Кухх,
с повышением Кухх оно стремится к нулю, и для получения прежней линейности оказывается достаточно простого резистора.

Структура на полевиках Ку12Ку32 тебе мешает. Несмотря на кажущеся преимущество в снижении Свх повторителя, ничего хорошего для линейности в ней нет, поскольку это однотакт со всеми проистекающими искажениями. Экстерминируй её. Двухтактный БТ-повторитель лучше этого недоразумения.
 
bukvarev написал(а):
К вопросу о замене однотакта на двухтакт.
Во вложении две схемы, исходная и с двумя ДК. Там же - АФЧХ без ОООС.
Модели прикрепил. Заменил на идеальные источники тока и напряжения, и добавил пометки по паразитным емкостям.
- о да - спасибо за модель - всё летает, все графики клип/меандр/спектр - подтвердились, токи ВК не выходят за ОБР, модели активных как в железе по ДШ...
... просыпаюсь и думаю - это-ж был СОН !!!
Женя - в Симе можно рисовать схемы, вот только после этого она ещё должна работать без глюков !!!
- сдаётся мне что у вас версия не по полной установлена
- а также вы очень часто прибегаете к помощи проги по упрощению расчетов или правкам с сайта производителя - есть такие функции.
- короткое замечание - однобокая нагрузка УНа на МОП повторитель с ГТ - полный отстой!!! ОС не будет так работать по ПТ,
ну а про коррекцию по ООС на НЧ в 10 тыс. мкФ!!! - уже сказали.
 
10000 мкф - эта цепочка только для проверки афчх с разомкнутой ооос. При замыкании ооос ее нужно отключить. В реальной схеме ее, ессно, нет.
И еще там отключены элементы коррекции УН, чтобы сравнить схемы в равных условиях, и разомкнута ОООС (там резистор 36 КОм, болтается неподключенным).
 
Или вообще похер какое строение каскада усиления напряжения лишь бы давал больше усиления?

В первом приближении - да. Во втором - этот каскад должен быть управляемым и не создавать проблем с устойчивостью. От хорошего к плохому выходные каскады УН ранжируются так:

1. Каскад с ОБ. Практически нет паразитных внутренних ООС или ПОС с выхода на вход. Токовый повторитель: малые искажения передачи входного тока. Не очевидно, но задача преобразования напряжение-ток выносится в предыдущий каскад, и на этой операции мы теряем десятки дБ усиления по напряжению.
2. Дифкаскад. Местная линеаризация взаимно противоположно изменяющимися в течение периода сигнала сопротивлениями эмиттеров. В зависимости от выхода съёма выходного напряжения может рассматриваться как каскад ОК-ОБ или ОЭ-ОБ и требовать дополнительной местной линеаризации без затрат усиления.
2.1. См. МАСТЕР, выходной дифкаскад УН с линеаризацией парами Баксандала. Малые искажения - 0,12...0,16% при Ку порядка 80 дБ.
3. Токовое зеркало. Некоторые нелинейности компенсированы, ООС через Скб выбором сопротивлений может быть отодвинута за пределы полосы ООС. Усиления большого не даёт (точнее, чем больше усиление по току, тем хуже линеаризация), лучше использовать как вспомогательный в паре с дифкаскадом.
4. Каскод. Первый транзистор - всё же ОЭ, и имеет паразитную ООС (а также прямое прохождение сигнала с базы на коллектор) через Скб. Большие искажения сигнала: 1% на каждый милливольт входного напряжения, 10% - для 10 мВ.
5. Где-то тут - связка каскадов ОК-ОЭ. Низкое выходное сопротивление повторителя поглощает ток паразитной ООС ОЭ через Скб, а высокое входное помогает развивать большое усиление предыдущего каскада.
6. Каскад с ОЭ. Неослабленная нелинейная ООС через Скб из точки с самым большим размахом напряжения в точку с малым, да ещё и большими сопротивлениями резисторов приводит к проблемам с устойчивостью. Большие искажения сигнала: 1% на каждый милливольт входного напряжения.
 
Вот схема и модель для сравнения линейности разных интеграторов. Для исключения влияния искажений ОУ и УМ они представлены идеальными множителями - идеальней не бывает.





Интегратор не должен звучать. Если интегратор звучит, конструктор должен рыдать и каяться во вретище.
 

Вложения

Sagittarius написал(а):
Вот схема и модель для сравнения линейности разных интеграторов...
... Интегратор не должен звучать...
Спасибо. Очень показательно.
А для чего нужны 10 положительных прямоугольных импульсов большой амплитуды?
 
Уже и не помню. По-моему, я его с такими параметрами вообще не применял.
 
Понятно.
Может быть стОит собрать все варианты в один файл?
Чтоб один раз в одинаковых условиях посчитать искажения, вносимые интеграторами.
 
Так там простыня получится - мама, не горюй. А так - есть каркасы на любой вкус, ставь номиналы под свой вариант, смотри результат. Свой интегратор я специально испытал выходным сигналом 120 В - чтобы нагляднее было.
 
Нашёл на просторах интернета схему ГСТ от товарища А. Петрова, на самом-ли деле он обеспечивает указанное выходное сопротивление, и какие у него недостатки?
 

Вложения

  • ГСТ.jpg
    ГСТ.jpg
    88.8 KB · Просмотры: 330
Выходное сопротивление на постоянном токе не проблема. А на высокой частоте сопротивление определяет Скб.
 
Очень просто можно сделать выходное сопротивление ГСТ больше, чем сопротвление Скб // rк, параллельного включения ёмкости коллектор-база и сопротивления коллектора.
 
Назад
Сверху Снизу